LMG1210EVM-012
LMG1210 半桥开环评估模块
LMG1210EVM-012
概述
LMG1210EVM-012 旨在用于评估适用于 GaN FET 的 LMG1210 兆赫兹级 200V 半桥驱动器。该 EVM 由两个配置在同一半桥中的氮化镓 FET 组成，这两个 FET 由一个 LMG1210 驱动。评估板上没有控制器。
特性
- 展示驱动器的高频功能
- 展示驱动器的高共模瞬态抗扰度 (CMTI)
- 展示驱动器卓越的传播和匹配能力以及驱动强度
- 展示死区时间块功能以及对效率的积极影响
- 这是一个可订购的 PCB（硬件），用于展示可产生用于 D 类音频、包络跟踪和高频直流/直流应用的独特激光的驱动器。
半桥驱动器
设计文件
技术文档
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| 类型 | 标题 | 下载最新的英文版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | EVM 用户指南 | Using the LMG1210EVM-012 300 V Half-Bridge Driver for GaN | 2018年 1月 29日 | |||
| 数据表 | 具有可调节死区时间的 LMG1210 200V、1.5A、3A 半桥 MOSFET 和 GaN FET 驱动器 （适合 工作频率高达 50MHz 的应用） 数据表 (Rev. D) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.D) | PDF | HTML | 2019年 5月 20日 | |
| 证书 | LMG1210EVM-012 EU Declaration of Conformity (DoC) | 2019年 1月 2日 |