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设计和开发

LMG3411EVM-029

具有逐周期过流保护的 LMG3411R070 600V 70mΩ GaN 半桥子卡

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LMG3411EVM-029

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概述

LMG3411EVM-029 将两个 LMG3411R070 GaN FET 配置到具有逐周期过流保护功能和所有必要辅助外围电路的半桥中。此 EVM 需要与大型系统配合使用。

特性
  • 输入电压高达 600V
  • 用于评估 LMG3411R070 性能的简单开环设计
  • 用于 PWM 信号的单个板载 PWM 输入（死区时间为 50ns）
  • 逐周期过流保护功能
  • 用于使用示波器探针（具有短接地弹簧探针）进行逻辑和功率级测量的便利探测点
氮化镓 (GaN) 功率级
LMG3411R070 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 70mΩ GaN
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  3. 阅读使用 LMG3411EVM-029 半桥和 LMG34XXBB-EVM 分线板 EVM 用户指南

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Evaluating LMG3411R070 GaN FET power stage

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* EVM 用户指南 Using the LMG3411R070EVM Half-Bridge and LMG34XXBB-EVM Breakout Board EVM 2018年 10月 24日
数据表 LMG341xR070 600-V 70-mΩ GaN with Integrated Driver and Protection 数据表 (Rev. F) PDF | HTML 2020年 4月 6日
数据表 具有集成驱动器和保护功能的 LMG341xR070 600V 70mΩ GaN 数据表 (Rev. E) PDF | HTML 最新英语版本 (Rev.F) PDF | HTML 2019年 1月 29日

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