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设计和开发

LMG3522EVM-042

LMG3522R030-Q1 具有集成驱动器子卡的汽车类 650V 30mΩ GaN FET

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LMG3522EVM-042

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概述

LMG3522EVM-042 在半桥中配置两个 LMG3522R030 GaN FET，具有逐周期过流保护、短路锁存保护功能和所有必要的辅助外围电路。该 EVM 旨在与大型系统配合使用。

特性
  • 输入电压高达 650V
  • 用于评估 LMG3522R030-Q1 性能的简单开环设计
  • 用于 PWM 信号的单路/双路板载 PWM 输入（具有可变死区时间）
  • 逐周期过流保护功能
  • 用于使用示波器探针（具有短接地弹簧探针）进行逻辑和功率级测量的便利探测点

  • 附有风扇的散热器
氮化镓 (GaN) 功率级
LMG3522R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的汽车类 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R050 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 50mΩ GaN FET LMG3526R030 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 650V 30mΩ GaN FET LMG3526R050 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测报告功能的 650V 50mΩ GaN FET
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  1. 订购具有集成驱动器子卡的 LMG3522EVM-042 汽车类 650V 30mΩ GaN FET
  2. （可选）订购适用于 LMG342x 系列的 LMG342X-BB-EVM GaN 系统级 EVM
  3. 阅读 LMG352XEVM-04X 用户指南

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LMG3522EVM-042 — LMG3522R030-Q1 automotive 650-V 30-mΩ GaN FET with integrated driver daughter card

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* EVM 用户指南 LMG352XEVM-04X EVM User's Guide (Rev. A) 2021年 2月 3日
数据表 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 LMG3522R030-Q1 650 V 30 mΩ GaN FET 数据表 (Rev. D) PDF | HTML 英语版 (Rev.D) PDF | HTML 2024年 2月 21日
证书 LMG3522EVM-042 EU Declaration of Conformity (DoC) 2020年 10月 26日

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