PMP10852

12V/15A 输出高功率小尺寸同步降压参考设计

PMP10852

设计文件

概述

PMP10852 参考设计使用 LM5117、用于高侧 MOSFET 的 CSD18563 以及用于低侧 MOSFET 的 CSD18532 (x2)。PMP10852 接受 27V 至 41V 的输入电压,并输出 180W (12V@15A)。解决方案尺寸非常小,总面积为 1,200mm2 (30mm x 40mm)。该设计的满载效率约为 95%。

特性
  • 大功率 (180W)
  • 宽输入电压范围 (27V-41V)
  • 小尺寸 (1200mm2)
  • 效率达 95%
输出电压选项 PMP10852.1
Vin (Min) (V) 27
Vin (Max) (V) 41
Vout (Nom) (V) 12
Iout (Max) (A) 15
Output Power (W) 180
Isolated/Non-Isolated Non-Isolated
Input Type DC
Topology Buck- Synchronous
??image.gallery.download_zh_CN?? 观看带字幕的视频 视频

我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和米6体育平台手机版_好二三四

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDU984.PDF (2005 K)

参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等

TIDREV5.PDF (248 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDREV6.PDF (95 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDREV7.PDF (97 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDREV9.ZIP (412 K)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCAB6.ZIP (406 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDREV8.PDF (836 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

米6体育平台手机版_好二三四

在设计中包括 TI 米6体育平台手机版_好二三四和可能的替代米6体育平台手机版_好二三四。

MOSFET

CSD18532Q5B采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
MOSFET

CSD18563Q5A采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、6.8mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
交流/直流和直流/直流控制器(外部 FET)

LM5117具有模拟电流监视器的 5.5-65V 宽输入电压、电流模式同步降压控制器

数据表: PDF | HTML

技术文档

star
= TI 精选文档
未找到结果。请清除搜索,并重试。
查看所有 2
类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 测试报告 PMP10852 Test Results 2015年 5月 13日
技术文章 Power Tips: Voltage mode or current mode? PDF | HTML 2015年 10月 2日

支持与培训

可获得 TI E2E™ 论坛的工程师技术支持

查看所有论坛主题
查看英文版所有论坛主题

所有内容均由 TI 和社区网友按“原样”提供,并不构成 TI 规范。参阅使用条款

如果您对质量、包装或订购 TI 米6体育平台手机版_好二三四有疑问,请参阅 TI 支持

视频