PMP21553
安全隔离式初级 SiC MOSFET 驱动器参考设计
PMP21553
概述
此参考设计为汽车电池充电系统提供了一个集成式高侧和低侧隔离式初级栅极驱动器解决方案，采用了两个推挽 SN6505B 变压器驱动器和一个隔离式双通道栅极驱动器 UCC21521C。
特性
- 双电源 +15V/-4V 输出
- 4V 负输出，可实现快速 FET 关断
- 1.500" x 1.750" 的小巧电路板
- 最高 120mA 的高 FET 驱动电流，可降低开关损耗
| 输出电压选项 | PMP21553.1 |
|---|---|
| Vin (Min) (V) | 4.85 |
| Vin (Max) (V) | 5.15 |
| Vout (Nom) (V) | 19 |
| Iout (Max) (A) | .12 |
| Output Power (W) | 2.28 |
| Isolated/Non-Isolated | Isolated |
| Input Type | DC |
| Topology | Forward- Push Pull |
汽车
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| 类型 | 标题 | 下载最新的英文版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 测试报告 | Safety Isolated Primary SiC MOSFET Driver Reference Design (Rev. A) | 2019年 4月 25日 |