PMP21561
安全隔离式次级 SiC MOSFET 驱动器参考设计
PMP21561
概述
此参考设计为汽车电池充电系统提供了一个集成式高侧和低侧隔离式次级栅极驱动器解决方案,采用了两个推挽 SN6505B 变压器驱动器和一个隔离式双通道栅极驱动器 UCC21521C。
特性
- 双电源 +15V/-4V 输出
- 4V 负输出,可实现快速 FET 关断
- 1.500" x 1.750" 的小巧电路板
- 最高 120mA 的高 FET 驱动电流,可降低开关损耗
输出电压选项 | PMP21561.1 |
---|---|
Vin (Min) (V) | 4.85 |
Vin (Max) (V) | 5.15 |
Vout (Nom) (V) | 19 |
Iout (Max) (A) | .12 |
Output Power (W) | 2.28 |
Isolated/Non-Isolated | Isolated |
Input Type | DC |
Topology | Forward- Push Pull |
汽车
我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。
设计文件和米6体育平台手机版_好二三四
设计文件
下载现成的系统文件,加快您的设计过程。
技术文档
= TI 精选文档
未找到结果。请清除搜索,并重试。
查看所有 1
类型 | 标题 | 下载最新的英文版本 | 日期 | |||
---|---|---|---|---|---|---|
* | 测试报告 | Safety Isolated Secondary SiC MOSFET Driver Reference Design (Rev. A) | 2019年 4月 25日 |