PMP22089

配备 GaN 技术的半桥点负载转换器参考设计

PMP22089

设计文件

概述

此参考设计将板载变压器的匝数比从 5:1 修改为 3:1,以降低输入范围。该电路板支持 24V 至 32V 的输入电压、0.5V 至 1.0V 的输出电压和高达 40A 的输出电流。该拓扑有效支持高降压比,同时提供高输出电流和可控性。原 EVM 设计用于评估 LMG5200 GaN 半桥功率级和 TPS53632G 半桥负载点 (PoL) 控制器。该电路板通过倍流整流器将转换器作为单级硬开关半桥使用。该电路板是 LMG5200POLEVM-10 评估模块的重新设计版本。

特性
  • 具有低电压、高电流,支持 FPGA PoL
  • 使用 GaN FET 实现高功率密度
  • 集成平面变压器
输出电压选项 PMP22089.1
Vin (Min) (V) 24
Vin (Max) (V) 32
Vout (Nom) (V) .85
Iout (Max) (A) 40
Output Power (W) 34
Isolated/Non-Isolated Non-Isolated
Input Type DC
Topology Half Bridge- Hard Switched
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和米6体育平台手机版_好二三四

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDT151.PDF (2737 K)

参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等

TIDM375.PDF (311 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDM376.PDF (59 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDM377.PDF (198 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDM379.ZIP (1606 K)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCFQ2.ZIP (359 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDM378.PDF (1982 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

米6体育平台手机版_好二三四

在设计中包括 TI 米6体育平台手机版_好二三四和可能的替代米6体育平台手机版_好二三四。

MOSFET

CSD16321Q5采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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交流/直流和直流/直流控制器(外部 FET)

TPS53632G用于 48V GaN 直流/直流转换器的半桥 D-CAP+ 控制器

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低侧驱动器

UCC27512采用 SON 封装、具有 5V UVLO 和分离输出的 4A/8A 单通道栅极驱动器

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实时时钟 (RTC) 和计时器

LMC555业界最小的 555 计时器,具有低功耗、高精度和 3MHz 的最大频率

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氮化镓 (GaN) 功率级

LMG520080V GaN 半桥功率级

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线性和低压降 (LDO) 稳压器

LP2992具有使能功能的 250mA、16V、低压降稳压器

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线性和低压降 (LDO) 稳压器

LP38693具有使能功能的 500mA、10V、低压降稳压器

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 测试报告 Half-Bridge Point-of-Load Converter Reference Design With GAN Technology 2019年 12月 17日

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