PMP22125

电池备用开关、充电器和监测器参考设计

PMP22125

设计文件

概述

此参考设计实现了对备用电池和充电器的全面监测。它支持在 12Vdc/24Vdc 电源和 12V/24V 铅酸电池间切换,电池恒流充电的电流典型值为 1A,具有适用于电池和输入源的电池维护型浮充和监测电路。

特性
  • 具有反向电流保护的开关
  • 直流电源或电池可提供 16A 连续电流
  • 恒流充电电流:1A
  • 浮充模式下可维护电池
  • 提供输入 LED 和输出 LED 状态信号
输出电压选项 PMP22125.1 PMP22125.2
Vin (Min) (V) 8.5 18.5
Vin (Max) (V) 17.5 36.5
Vout (Nom) (V) 12 24
Iout (Max) (A) 1 1
Output Power (W) 12 24
Isolated/Non-Isolated Non-Isolated Non-Isolated
Input Type DC DC
Topology Buck Boost- 4 Switch^Hot Swap Buck Boost- 4 Switch^Hot Swap
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设计文件和米6体育平台手机版_好二三四

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDT181.PDF (2263 K)

参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等

TIDM595.PDF (464 K)

设计布局和元件的详细原理图

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设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

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元件放置方式设计布局的详细原理图

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IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

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包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

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用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

米6体育平台手机版_好二三四

在设计中包括 TI 米6体育平台手机版_好二三四和可能的替代米6体育平台手机版_好二三四。

MOSFET

CSD17313Q2采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、32mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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MOSFET

CSD18531Q5A采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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MOSFET

CSD18543Q3A采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.9mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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与门

SN74LVC2G082 通道、2 输入、1.65V 至 5.5V、32mA 驱动强度与门

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交流/直流和直流/直流控制器(外部 FET)

LM517655V 宽输入电压同步 4 开关降压/升压控制器

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同相缓冲器和驱动器

SN74LVC1G07具有漏极开路输出的单通道 1.65V 至 5.5V 缓冲器

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模拟电流检测放大器

INA301具有比较器的 36V、550kHz、4V/µs 高精度电流检测放大器

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比较器

TLV6710采用集成基准的低功耗高电压窗口比较器

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电压转换门

SN74LV1T32具有逻辑电平转换器的单电源 2 输入正或门

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电子保险丝和热插拔控制器

LM50605.5V 至 65V 高侧保护控制器

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监控器和复位 IC

TPS3803低功耗电压检测器

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线性和低压降 (LDO) 稳压器

TPS7A16具有电源正常指示和使能功能的 100mA、60V 超低 IQ 低压降 (LDO) 稳压器

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负载开关

TPS22929D具有输出放电功能的 5.5V、1.8A、115mΩ 负载开关

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 测试报告 Battery Back-up Switch, Charger and Monitor Reference Design 2020年 5月 13日

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