TIDA-01634

适用于高速直流/直流转换器的数兆赫兹 GaN 功率级参考设计

TIDA-01634

设计文件

概述

此参考设计基于 LMG1210 半桥 GaN 驱动器和 GaN 功率的高电子迁移率晶体管 (HEMT),实现了一款数兆赫兹功率级设计。凭借高效的开关和灵活的死区时间调节,此参考设计不仅可以显著改善功率密度,同时还能实现良好的效率和较宽的控制带宽。此功率级设计可广泛应用于众多需要快速响应的空间受限型应用,例如 5G 电信电源、服务器和工业电源。

特性
  • 基于 GaN 的紧凑型功率级设计,具有高达 50MHz 的开关频率
  • 适用于高侧和低侧的彼此独立的 PWM 输入,或具有可调节死区时间的单一 PWM 输入
  • 最小脉冲宽度为 3ns
  • 300V/ns 的高压摆率抗扰性
  • 驱动器 UVLO 和过热保护
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和米6体育平台手机版_好二三四

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

ZHCU454.PDF (1158 K)

参考设计概述和经过验证的性能测试数据

TIDRVQ8.PDF (151 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDRVQ9.PDF (104 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRVR0.PDF (136 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDRVR2.ZIP (45 K)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCEJ2.ZIP (1201 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDRVR1.PDF (716 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

米6体育平台手机版_好二三四

在设计中包括 TI 米6体育平台手机版_好二三四和可能的替代米6体育平台手机版_好二三四。

半桥驱动器

LMG1210适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可编程死区时间的 1.5A、3A 200V 半桥栅极驱动器

数据表: PDF | HTML
同相缓冲器和驱动器

SN74LVC2G17具有施密特触发输入的 2 通道、1.65V 至 5.5V 缓冲器

数据表: PDF | HTML

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
设计指南 适用于高速直流/直流转换器的数兆赫兹GaN 功率级参考设计 英语版 2018年 2月 27日

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