UCC21750QDWEVM-025
适用于 SiC 和 IGBT 晶体管及电源模块的驱动和保护评估板
UCC21750QDWEVM-025
概述
The UCC21750QDWEVM-025 is a compact, single channel isolated gate driver board providing drive, bias voltages, desat feature based protection and diagnostic needed for SiC MOSFET and Si IGBT Power Modules housed in 150 x 62 x 17 mm and 106 x 62 x 30 mm packages. This TI EVM is based on 5.7-kVrms reinforced isolation drivers UCC21750 in SOIC-16DW package with 8.0 mm creepage and clearance. The EVM includes SN6505B based isolated DC-DC transformer bias supplies.
特性
- 10-A peak, split output drive current with programmable drive voltages
- Two 5.7-kVrms reinforced isolated channels to support up to 1700 V input rail
- Short circuit protection using desat signal with soft turn OFF and Miller clamp with internal FET
- Robust noise-immune solution with CMTI > 100 V/ns
- Power modules not included
隔离式栅极驱动器
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UCC21750QDWEVM-025 — 适用于 SiC 和 IGBT 晶体管及电源模块的驱动和保护评估板
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设计工具
SLURAZ2 — UCC217xxEVM Design Files
SLURAZ2 — UCC217xxEVM Design Files
版本: 01.00.00.00
发布日期: 26 七月 2020
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隔离式栅极驱动器
硬件开发
评估板
发布信息
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技术文档
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| 类型 | 标题 | 下载最新的英文版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 用户指南 | UCC217xx Family Driving and Protecting SiC and IGBT Power Modules and Transistor (Rev. B) | 2019年 9月 9日 | |||
| 证书 | UCC21750QDWEVM-025 EU Declaration of Conformity (DoC) | 2024年 1月 24日 | ||||
| 数据表 | UCC21750-Q1适用于 SiC/IGBT 并具有主动保护、隔离式模拟感应和高 CMTI 的 10A 拉电流/灌电流增强型隔离式单通道栅极驱动器 数据表 (Rev. D) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.D) | PDF | HTML | 2023年 11月 10日 | |
| 数据表 | UCC21750 适用于 SiC/IGBT 并具有主动保护、隔离式模拟感应和高 CMTI 的 10A 拉电流/灌电流增强型隔离式单通道栅极驱动器 数据表 (Rev. C) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2023年 2月 6日 |