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設計および開発

LMG3411EVM-029

LMG3411R070 サイクルごとの過電流保護機能搭載の 600V 70mΩ GaN ハーフブリッジ・ドーター・カード

購入

LMG3411EVM-029

購入

概要

LMG3411EVM-029は、2 個の LMG3411R070 GaN FET をハーフ・ブリッジとして構成し、サイクルごとの過電流保護機能と、必要なすべての補助ペリフェラル回路を搭載しています。この評価基板 (EVM) は、より大規模なシステムと組み合わせて動作する設計を採用しています。

特長
  • 最大 600V の入力電圧で動作
  • LMG3411R070 の性能を評価するシンプルなオープン・ループ設計
  • デッドタイムが 50ns の PWM 信号に対応する、単一 PWM 入力をオンボードに搭載
  • サイクルごとの過電流保護機能
  • 短いグランド・スプリング・プローブを搭載しているオシロスコープのプローブを使用して、ロジックと電力段の主な波形を測定できる、利便性の高い複数のプローブ点
窒化ガリウム (GaN) 電力段
LMG3411R070 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN
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開始する

  1. サイクルごとの過電流保護機能搭載の 600V 70mΩ GaN ハーフブリッジ・ドーター・カードである LMG3411EVM-029 を注文します
  2. (オプション) LMG341x ファミリ向け、GaN システム・レベル評価マザーボードである LMG34XX-BB-EVM を注文します
  3. Using the LMG3411EVM-029 Half-Bridge and LMG34XXBB-EVM Breakout Board EVM User's Guide (英語) を読みます

購入と開発の開始

ハードウェア、ソフトウェア、資料のパッケージ詳細

ハードウェアとソフトウェアのパッケージ

Evaluating LMG3411R070 GaN FET power stage

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ドーター・カード

LMG3411EVM-029 — LMG3411R070 サイクルごとの過電流保護機能搭載の 600V 70mΩ GaN ハーフブリッジ・ドーター・カード

TI.com で取り扱いなし
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

設計ファイル

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SNOC044.ZIP (3544 KB)
download LMG3411EVM-029 Design Files
SNOC045.ZIP (4414 KB)

技術資料

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* EVM ユーザー ガイド (英語) Using the LMG3411R070EVM Half-Bridge and LMG34XXBB-EVM Breakout Board EVM 2018年 10月 24日
データシート LMG341xR070 600-V 70-mΩ GaN with Integrated Driver and Protection データシート (Rev. F) PDF | HTML 2020年 4月 6日
データシート LMG341xR070 ドライバおよび保護機能搭載の600V、70mΩ GaN データシート (Rev. E 翻訳版) PDF | HTML 最新英語版 (Rev.F) PDF | HTML 2019年 7月 19日

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