LMG3522EVM-042
LMG3522R030-Q1 車載対応、ドライバ内蔵、650V 30mΩ GaN FET ドーター・カード
LMG3522EVM-042
概要
LMG3522EVM-042 は、2 個の LMG3522R030 GaN FET によるハーフブリッジ構成に、サイクルごとの過電流保護機能とラッチ付き短絡保護機能を実装し、必要な補助ペリフェラル回路をすべて組み合わせています。この評価基板 (EVM) は、より大規模なシステムとの組み合わせで動作する設計を採用しています。
特長
- 最大 650V の入力電圧で動作
- LMG3522R030-Q1 の性能を評価するシンプルなオープン・ループ設計
- 可変デッドタイムの PWM 信号に対応するオンボードのシングル / デュアル PWM 入力
- サイクルごとの過電流保護機能
- 短いグランド・スプリング・プローブを搭載しているオシロスコープのプローブを使用して、ロジックと電力段の主な波形を測定できる、利便性の高い複数のプローブ点
- ファン付きヒートシンクが付属
窒化ガリウム (GaN) 電力段
開始する
- 車載対応、ドライバ内蔵、650V 30mΩ GaN FET ドーター・カードである LMG3522EVM-042 を注文します
- (オプション) LMG342x ファミリ向け、GaN システム・レベル評価基板 (EVM) である LMG342X-BB-EVM を注文します
- LMG352XEVM-04X ユーザー ガイドを読みます
購入と開発の開始
ドーター・カード
LMG3522EVM-042 — LMG3522R030-Q1 automotive 650-V 30-mΩ GaN FET with integrated driver daughter card
TI.com で取り扱いなし
設計ファイル
技術資料
= TI が選択した主要ドキュメント
結果が見つかりませんでした。検索条件をクリアして、もう一度検索を行ってください。
すべて表示 3
種類 | タイトル | 英語版のダウンロード | 日付 | |||
---|---|---|---|---|---|---|
* | EVM ユーザー ガイド (英語) | LMG352XEVM-04X EVM User's Guide (Rev. A) | 2021年 2月 3日 | |||
データシート | LMG3522R030-Q1 650 V 30 mΩ GaN FET、ドライバと保護機能および温度レポート機能内蔵 データシート (Rev. D 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.D) | PDF | HTML | 2024年 3月 6日 | |
証明書 | LMG3522EVM-042 EU Declaration of Conformity (DoC) | 2020年 10月 26日 |