TIDA-00182
8 出力付き、強化絶縁 IGBT ゲート・ドライブ・フライバック電源、リファレンス・デザイン
TIDA-00182
概要
このリファレンス・デザインは、24V の単一 DC 入力電圧を受け入れ、IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor、絶縁型ゲート・バイポーラ・トランジスタ）ゲート・ドライバで必要とされる、正と負の絶縁強化型電圧レールを供給します。このリファレンス・デザインではフライバック絶縁型制御トポロジーを活用し、IEC61800-5 に準拠する絶縁を実現するとともに、単一トランスからの入力を受け入れて、三相インバータの 3 個のアーム（半導体スイッチ）すべてに対応する電源レールを生成します。出力電力は現時点で IGBT あたり 2W に設定されていますが、トランスの設計を変更することで、よりハイパワーの IGBT に対応するようにスケールアップできます。
特長
- インバータの 3 個のアーム（半導体スイッチ）に対応する 6 個の IGBT ゲート・ドライバをサポートする絶縁型電源（ハーフ・ブリッジ構成内に各アームを配置）
- 事前安定化した 24V の入力を受け入れて動作
- IGBT ドライバごとに、絶縁強化された低リップル（<200mV）の出力を 2 つ供給：+16V（x2）と -8V（x2）
- 出力電力：IGBT ごとに 2W、ハイパワー IGBT をサポートするためのスケール化が可能
- 出力コンデンサは、最大 6A のピーク・ゲート・ドライブ電流をサポートする定格
- セーフ・トルク・オフ（STO）機能を実現する目的で、電源をシャットダウンするためのオプション
- IEC61800-5 に準拠するように設計
組み立てられたボードは、テストと性能検証のみの目的で開発されたものであり、販売していません。
設計ファイルと製品
設計ファイル
すぐに使用できるシステム・ファイルをダウンロードすると、設計プロセスを迅速化できます。
TIDRAL4.PDF (195 K)
設計に使用したコンポーネント、参照指定子、メーカー名や型番などを記入した詳細なリスト
製品
設計や代替製品候補に TI 製品を含めます。
MOSFET
CSD19533Q5A — 5mm x 6mm の SON 封止、9.5mΩ、シングル、100V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET
データシート: PDF | HTML技術資料
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| 種類 | タイトル | 英語版のダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 設計ガイド | Reinforced Isolated IGBT Gate-Drive Flyback Pwr Supply w/ 8 Outputs Design Guide | 2014年 8月 25日 | |||
| アプリケーション・ノート | IGBTゲート・ドライバの電源は最適化されていますか？ | 英語版 | 2016年 4月 8日 | |||
| アプリケーション・ノート | 産業用ドライブにおけるIGBTゲート・ドライバ用電源トポロジの分析 | 英語版 | 2016年 2月 17日 |