ISO5852SDWEVM-017

适用于 SiC 和 IGBT 电源模块的驱动和保护评估板

概述

ISO5852SDWEVM-017 是一款紧凑型双通道隔离式栅极驱动器电路板，可提供采用标准 62mm 封装的半桥 SiC MOSFET 和 IGBT 电源模块所需的驱动、偏置电压、保护和诊断功能。该 TI EVM 以 5.7kVrms 增强型隔离驱动器 IC ISO5852SDW 为基础，后者采用 SOIC-16DW 封装，具有 8.0mm 爬电距离和间隙。该 EVM 包含基于 SN6505B 的隔离式偏置电源以及通过放大器 AMC1401 实现的温度和总线电压隔离式监控。

特性

20A 峰值分离输出驱动电流及可编程驱动电压
两个 5kVrms 增强型隔离式通道，可支持高达 1700V 的输入轨
具有软关断和 2A 米勒钳位功能的短路保护
CMTI > 100V/ns 的强大防噪解决方案
隔离式模块温度和输入轨监控
具有 UVLO 和 OVLO 保护的两个 2W 输出偏置电源

ISO5852SDWEVM-017 EVM 电路板
不包含电源模块

隔离式栅极驱动器

ISO5852S — 具有分离输出、STO 和保护功能的 5.7kVrms、2.5A/5A 单通道隔离式栅极驱动器

变压器驱动器

SN6505B — 适用于隔离电源的低噪声、1A、420kHz 变压器驱动器

监控器和复位 IC

TPS3700 — 用于过压和欠压监测的高电压 (18V) 窗口电压检测器

线性和低压降 (LDO) 稳压器

TPS709 — 具有反向电流保护和使能功能的 150mA、30V、超低 IQ、低压降稳压器

隔离式放大器

AMC1301 — 用于电流检测的 ±250mV 输入、精密增强型隔离放大器

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ISO5852SDWEVM-017 — 适用于 SiC 和 IGBT 电源模块的驾驶和保护评估板

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隔离式栅极驱动器

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发布信息

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	类型	标题		下载最新的英文版本		日期
*	用户指南	ISO5852SDW Driving and Protecting SiC and IGBT Power Modules				2018年 5月 24日
	数据表	ISO5852S 具有分离输出和有源保护特性的高 CMTI 2.5A 和 5A 增强型隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器数据表 (Rev. C)	PDF \| HTML	英语版 (Rev.C)	PDF \| HTML	2023年 6月 15日
	证书	ISO5852SDWEVM-017 EU Declaration of Conformity (DoC)				2019年 1月 2日

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