TMAG5110-5111EVM
TMAG511x 高灵敏度 2D 双通道霍尔效应锁存器评估模块
TMAG5110-5111EVM
概述
TMAG5110-5111EVM 是一款具有两个霍尔锁存器的旋转编码板,这两个锁存器具有用于实现正交 (TMAG5110) 以及速度和方向输出 (TMAG5111) 的单独电路。它有两个不同的磁体以及两种磁体放置选项,可实现不受磁极间距和磁体位置影响的双锁存器功能。
特性
- 用于 TMAG5110 和 TMAG5111 器件的电路,可分别实现正交以及速度和方向输出
- 包含一个 10 极和 20 极环形磁铁,说明器件磁极间距不会产生影响
- 每个磁体均可放置在两个不同的位置,说明磁体位置不会产生影响
- 提供从每个器件到 LED 阵列显示屏的可视逻辑步骤
- USB 供电,便于使用
- 磁观察膜
- 10 极环形磁铁
- 20 极环形磁铁
- USB 线缆
霍尔效应锁存器和开关
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评估板
TMAG5110-5111EVM — TMAG511x evaluation module for high-sensitivity, 2D, dual-channel, Hall-effect latches
TI.com 上无现货
TI-MAGNETIC-SENSE-SIMULATOR — TI Magnetic sensing simulation tool
版本: 1.0
发布日期: 31 十月 2023
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线性霍尔效应传感器
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发布信息
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类型 | 标题 | 下载最新的英文版本 | 日期 | |||
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用户指南 | TMAG5110-5111EVM 评估模块 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2022年 3月 20日 | |
证书 | TMAG5110-5111 EVM EU Declaration of Conformity (DoC) | 2021年 3月 23日 |