图 9-9 说明了有关去耦电容器关键布局的布局建议。电源相关建议电源相关建议 一节中使用了相同的元件引用标识符。

为获得最佳 EMI 性能，请勿在高侧使用专用的接地平面，而是使用单独的引线连接高侧 (HGND) 的接地基准，如图 9-9 所示。

使数字引线远离所有模拟输入和相关元件，以尽可能地减少干扰。

在模拟输入端使用 C0G 电容器。对电源去耦电容器使用陶瓷电容器（例如 X7R 级）。不建议使用高 K 电容器 (Y5V)。使用短而直接的引线将所需的电容器放置在尽可能靠近器件引脚的位置。为了实现最佳性能，请在旁路电容器的接地侧接头上使用低阻抗连接。

应用外部时钟时，确保时钟没有过冲和干扰。放置在时钟缓冲器上的拉电流终端电阻器通常有助于减少过冲。时钟输入上的干扰可能会导致转换数据中出现噪声。