13 修订历史记录

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• 向“充电终止范围”特性添加了“5mA 至 310mA，步长为 5mA”Go
• 添加了 IEC 62368-1 CB 认证Go
• 更改了 BQ25628/629 简化版应用Go
• 更改了“说明（续）”文本Go
• 将节 5 中 BQ25618 的 D+/D- USB 检测从“是”更改为“否”Go
• 将 QON 引脚说明中的 t_RST 更改为 t_{QON_RST} Go
• 为 V_POORSRC 添加了最大限值Go
• 更新了 V_{TS_COLD}、V_{TS_COLDZ}、V_{TS_COOL}、V_{TS_COOLZ}、V_{TS_WARM}、V_{TS_WARMZ}、V_{TS_HOT} 和 V_{TS_HOTZ}更新了 VBUS_ADC、VPMID_ADC 和 TDIE_ADC删除了 t_{PMID_OVP_PROP} 和 t_{PMID_OVP_FALL} Go
• 将 IBAT_ADC LSB 从 2mA 更改为 4mAGo
• 删除了 t_{VBUS_OVP_PROP}、T_{POORSRC_RETRY}、t_{POORSRC_RESTART}、t_{VBUS_PD}、t_{TERM_DGL}、t_{RECHG_DGL} 的典型规格Go
• 阐明了 T_{TOP_OFF} 规格的寄存器条件Go
• 阐明了 JEITA 充电速率调节的行为Go
• 从节 8.3.7删除了当充电器进入高阻态模式时，将禁用 ADC Go
• 添加了节 8.3.8.1 Go
• 添加了节 8.3.10 Go
• 将 REG0x2C_VBUS_ADC 寄存器字段说明中的 VBUS_ADC 从 19850mV 和 1388h 更改为 18000mV 和 11B6hGo
• 将 REG0x2E_VPMID_ADC 寄存器字段说明中的 VPMID_ADC 从 19850mV 和 1388h 更改为 18000mV 和 11B6hGo
• 将 REG0x36_TDIE_ADC 寄存器字段说明中的 TDIE_ADC 从 150°C 和 12Ch 更改为 140°C 和 118hGo
• 将 Q1_FULLON、BATFET_CTRL_WVBUS 位访问类型从 R 更改为 RW，将 TDIE_ADC 位访问类型从 RW 更改为 RGo
• 将 REG0x02_Charge_Current_Limit 寄存器的寄存器字段和说明中的位 11 更改为“保留”，并将“ICHG 复位”从 X 更改为 8hGo
• 将 REG0x10_Pre-charge_Control 寄存器的寄存器字段和说明中的位 8 更改为“保留”Go
• 将 REG0x12_Termination_Control 寄存器的寄存器字段和说明中的位 8 更改为“保留”Go
• 更改了图 9-3 Go
• 更改了图 9-4 Go
• 更改了图 9-11 Go