ZHCSVQ6 April 2024 DLPC7530
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 应用
- 3 说明
- 4 引脚配置和功能
-
5 规格
- 5.1 绝对最大额定值
- 5.2 ESD 等级
- 5.3 建议运行条件
- 5.4 热性能信息
- 5.5 电源电气特性
- 5.6 引脚电气特性
- 5.7 DMD HSSI 电气特性
- 5.8 DMD 低速 LVDS 电气特性
- 5.9 V-by-One 接口电气特性
- 5.10 FPD-Link LVDS 电气特性
- 5.11 USB 电气特性
- 5.12 系统振荡器时序要求
- 5.13 电源和复位时序要求
- 5.14 DMD HSSI 时序要求
- 5.15 DMD 低速 LVDS 时序要求
- 5.16 V-by-One 接口一般时序要求
- 5.17 FPD-Link 接口一般时序要求
- 5.18 并行接口一般时序要求
- 5.19 源帧时序要求
- 5.20 同步串行端口接口时序要求
- 5.21 控制器和目标 I2C 接口时序要求
- 5.22 可编程输出时钟时序要求
- 5.23 JTAG 边界扫描接口时序要求（仅限调试）
- 5.24 JTAG ARM 多 ICE 接口时序要求（仅限调试）
- 5.25 多跟踪 ETM 接口时序要求
- 6 详细说明
- 7 应用和实施
- 8 电源相关建议
- 9 布局
- 10器件和文档支持
- 11修订历史记录
- 12机械、封装和可订购信息
9.1.2 电源布局指南
建议为以下列出的电源输入使用以下滤波电路。
- VAD115_VX1
- VAD18_VX1
- VAD115_FPD
- VDD33_FPD
- VAD33_USB
- VDD18_SCS
由于 PBC 布局对于与这些电源关联的接口的性能至关重要，因此将这些电源视为模拟信号至关重要。特别是：
- 将高频元件（例如铁氧体和电容器）尽可能靠近电源焊球放置。
- 选择具有低 ESR 和 ESL 值的高频陶瓷电容器（例如值为 0.1µF、0.01µF 和 100nF 的电容器）。将引线设计得尽可能短，因此将这些电容器放置在电路板另一侧的封装下方。
- 对于每个电源引脚，必须在控制器到电容器之间使用一条迹线（尽可能宽），然后通过串联铁氧体连接到电源。
- 对于每个电源引脚，在迂回过孔附近添加一个 100nF 去耦电容器。将该去耦电容添加到为滤波器建议的电容中。这些都是最低的建议，因此不同的布局可能需要额外的电容。
- 有关这些电源的建议串联铁氧体元件，请参阅表 9-1。
图 9-1 VAD115_VX1 (V-by-One) 推荐的滤波器
图 9-2 VAD18_VX1 (V-by-One) 推荐的滤波器
图 9-3 VAD115_FPD (FPD-Link) 推荐的滤波器
图 9-4 VDD33_FPD (FPD-Link) 推荐的滤波器
图 9-5 VAD33_USB (USB) 推荐的滤波器
图 9-6 VDD18_SCS (SCS DRAM) 推荐的滤波器