ZHCSV74 June 2024 DRV2911-Q1
PRODUCTION DATA
对半桥的 MOSFET 实施可调栅极驱动电流控制,以实现压摆率控制。MOSFET VDS 压摆率是优化辐射发射、二极管恢复尖峰的能量和持续时间以及与寄生效应相关的开关电压瞬态的关键因素。这些压摆率主要由内部 MOSFET 的栅极电荷的速率决定,如图 6-13 所示。
可以按照图 6-2 通过 SLEW 引脚调整压摆率。有四种压摆率设置可用:25V/µs、50V/µs、125V/µs 或 200V/µs。压摆率根据 OUTx 引脚电压的上升时间和下降时间计算得出,如图 6-14 所示。