ZHCSML6B February   2020  – August 2021 DRV8220

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 器件比较
  6. 6 引脚配置和功能
  7. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 额定值
    3. 7.3 建议工作条件
    4. 7.4 热信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 典型特性
  8. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 外部元件
      2. 8.3.2 控制模式
        1. 8.3.2.1 PWM 控制模式（DSG：MODE = 0 和 DRL）
        2. 8.3.2.2 PH/EN 控制模式（DSG：MODE = 1）
        3. 8.3.2.3 半桥控制模式（DSG：MODE = 高阻态）
      3. 8.3.3 保护电路
        1. 8.3.3.1 电源欠压锁定（UVLO）
        2. 8.3.3.2 OUTx 过流保护（OCP）
        3. 8.3.3.3 热关断（TSD）
      4. 8.3.4 引脚图
        1. 8.3.4.1 逻辑电平输入
        2. 8.3.4.2 三电平输入
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 工作模式
      2. 8.4.2 低功耗睡眠模式
      3. 8.4.3 故障模式
  9. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 全桥驱动
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
          1. 9.2.1.2.1 电源电压
          2. 9.2.1.2.2 控制接口
          3. 9.2.1.2.3 低功耗运行
        3. 9.2.1.3 应用曲线
      2. 9.2.2 半桥驱动
        1. 9.2.2.1 设计要求
        2. 9.2.2.2 详细设计过程
          1. 9.2.2.2.1 电源电压
          2. 9.2.2.2.2 控制接口
          3. 9.2.2.2.3 低功耗运行
        3. 9.2.2.3 应用曲线
      3. 9.2.3 双线圈继电器驱动
        1. 9.2.3.1 设计要求
        2. 9.2.3.2 详细设计过程
          1. 9.2.3.2.1 电源电压
          2. 9.2.3.2.2 控制接口
          3. 9.2.3.2.3 低功耗运行
        3. 9.2.3.3 应用曲线
      4. 9.2.4 电流检测
        1. 9.2.4.1 设计要求
        2. 9.2.4.2 详细设计过程
          1. 9.2.4.2.1 分流电阻器大小调整
          2. 9.2.4.2.2 RC 滤波器
    3. 9.3 电流能力和热性能
      1. 9.3.1 功率耗散和输出电流能力
      2. 9.3.2 热性能
        1. 9.3.2.1 稳态热性能
        2. 9.3.2.2 瞬态热性能
  10. 10电源建议
    1. 10.1 大容量电容
  11. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 文档支持
      1. 12.1.1 相关文档
    2. 12.2 接收文档更新通知
    3. 12.3 支持资源
    4. 12.4 商标
    5. 12.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 12.6 术语表
  13. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

9.3.2.2 瞬态热性能

电机驱动器可能会遇到不同的瞬态驱动条件，导致在短时间内出现大电流流过。这些条件可能包括

  • 转子最初静止时电机启动。
  • 某个电机输出的电源或接地短路且触发过流保护时的故障条件。
  • 短暂为电机或电磁阀加电，然后断电。

对于这些瞬态情况，驱动持续时间是除了铜面积和厚度之外影响热性能的另一个因素。在瞬态情况中，热阻抗参数（ZθJA）表示结至环境热性能。本部分中的图显示了 WSON和 SOT 封装的 1oz 和 2oz 铜布局的模拟热阻抗。这些图表表明，短电流脉冲可实现更佳的热性能。对于较短的驱动时间，器件裸片尺寸和封装决定了热性能。对于更长的驱动脉冲，电路板的布局对热性能的影响更大。这两个图表都显示了随着驱动脉冲持续时间的增加，由于层数和铜面积导致的热阻抗分裂曲线。可以将长脉冲视为稳态性能。

GUID-20210114-CA0I-WCDR-NSBP-KM8JRBHTTV2Z-low.png图 9-32 1oz 铜布局的 WSON 封装结至环境热阻抗
图 9-33 2oz 铜布局的 WSON 封装结至环境热阻抗
图 9-34 1oz 铜布局的 SOT 封装结至环境热阻抗
GUID-20210723-CA0I-R4WS-NXXS-XCZFZWPLPDTT-low.png图 9-35 2oz 铜布局的 SOT 封装结至环境热阻抗
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