ZHCSML6B February   2020  – August 2021 DRV8220

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 器件比较
  6. 6 引脚配置和功能
  7. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 额定值
    3. 7.3 建议工作条件
    4. 7.4 热信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 典型特性
  8. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 外部元件
      2. 8.3.2 控制模式
        1. 8.3.2.1 PWM 控制模式（DSG：MODE = 0 和 DRL）
        2. 8.3.2.2 PH/EN 控制模式（DSG：MODE = 1）
        3. 8.3.2.3 半桥控制模式（DSG：MODE = 高阻态）
      3. 8.3.3 保护电路
        1. 8.3.3.1 电源欠压锁定（UVLO）
        2. 8.3.3.2 OUTx 过流保护（OCP）
        3. 8.3.3.3 热关断（TSD）
      4. 8.3.4 引脚图
        1. 8.3.4.1 逻辑电平输入
        2. 8.3.4.2 三电平输入
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 工作模式
      2. 8.4.2 低功耗睡眠模式
      3. 8.4.3 故障模式
  9. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 全桥驱动
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
          1. 9.2.1.2.1 电源电压
          2. 9.2.1.2.2 控制接口
          3. 9.2.1.2.3 低功耗运行
        3. 9.2.1.3 应用曲线
      2. 9.2.2 半桥驱动
        1. 9.2.2.1 设计要求
        2. 9.2.2.2 详细设计过程
          1. 9.2.2.2.1 电源电压
          2. 9.2.2.2.2 控制接口
          3. 9.2.2.2.3 低功耗运行
        3. 9.2.2.3 应用曲线
      3. 9.2.3 双线圈继电器驱动
        1. 9.2.3.1 设计要求
        2. 9.2.3.2 详细设计过程
          1. 9.2.3.2.1 电源电压
          2. 9.2.3.2.2 控制接口
          3. 9.2.3.2.3 低功耗运行
        3. 9.2.3.3 应用曲线
      4. 9.2.4 电流检测
        1. 9.2.4.1 设计要求
        2. 9.2.4.2 详细设计过程
          1. 9.2.4.2.1 分流电阻器大小调整
          2. 9.2.4.2.2 RC 滤波器
    3. 9.3 电流能力和热性能
      1. 9.3.1 功率耗散和输出电流能力
      2. 9.3.2 热性能
        1. 9.3.2.1 稳态热性能
        2. 9.3.2.2 瞬态热性能
  10. 10电源建议
    1. 10.1 大容量电容
  11. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 文档支持
      1. 12.1.1 相关文档
    2. 12.2 接收文档更新通知
    3. 12.3 支持资源
    4. 12.4 商标
    5. 12.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 12.6 术语表
  13. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.5 电气特性

4.5V ≤ VVM ≤ 18V，–40°C ≤ TJ ≤ 150°C（除非另有说明）。
典型值是在 TJ = 27°C 且 VVM = 12V 时。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源 (VM)
IVM VM 工作模式电流 IN1 = 0V，IN2 = 3.3V 1.5 2 mA
IVMQ VM 睡眠模式电流 睡眠模式，VVM = 12V，TJ = 27°C 960 nA
tWAKE 开通时间 睡眠模式到工作模式延迟 65 μs
tAUTOSLEEP 自动睡眠关闭时间 工作模式到自动睡眠模式延迟，
nSLEEP = 3.3V		 0.9 2.6 ms
tSLEEP 关闭时间 工作模式到睡眠模式延迟，nSLEEP = 0V 1 μs
逻辑电平输入 （INx，nSLEEP，IN1/PH，IN2/EN）
VIL 输入逻辑低电平电压 0 0.35 V
VIH 输入逻辑高电平电压 1.45 5.5 V
VHYS 输入逻辑迟滞 49 mV
IIL 输入逻辑低电平电流 VI = 0V -1 1 µA
IIH 输入逻辑高电平电流，IN1/EN，IN2/PH VI = 3.3 V 20 50 µA
IIH_nSLEEP 输入逻辑高电平电流，nSLEEP VI = 3.3V，工作模式 60 100 µA
VI = 3.3V，自动睡眠模式 42 nA
RPD 输入下拉电阻，IN1/EN，IN2/PH 至 GND 100 kΩ
三电平输入（MODE）
VTIL 三电平输入逻辑低电平电压 0 0.22 × VnSLEEP V
VTIZ 三电平输入高阻态电压 RI = 高阻态 0.6 × VnSLEEP 0.675 × VnSLEEP V
VTIH 三电平输入逻辑高电压 0.75 × VnSLEEP 5.5 V
RTPD 三电平下拉电阻 至 GND，睡眠模式 1 MΩ
至 GND，工作模式 130 kΩ，
RTPU 三电平上拉电阻 至 nSLEEP 缓冲基准 75 kΩ
驱动器输出（OUTx）
RDS(on)_HS 高侧 MOSFET 导通电阻 IO = 0.2 A 500 mΩ
RDS(on)_LS 低侧 MOSFET 导通电阻 IO = -0.2 A 500 mΩ
VSD 体二极管正向电压 IO = -0.5 A 1 V
tRISE 输出上升时间 VOUTx 上升，从 VVM 的 10% 上升到 90% 150 ns
tFALL 输出下降时间 VOUTx 下降，从 VVM 的 90% 下降到 10% 150 ns
tPD 输入至输出传播延迟 输入超过 0.8V 至 VOUTx = 0.1×VVM，IO = 1A 135 ns
tDEAD 输出死区时间 内部死区时间 500 ns
IOUT 流入 OUTx 的泄漏电流 OUTx 为高阻态，RL = 20Ω 至 VM 186 μA
OUTx 为高阻态，RL = 20Ω 至 GND -3 nA
保护电路
VUVLO VM 电源欠压锁定（UVLO） 电源上升 4.5 V
电源下降 3.7 V
VUVLO_HYS 电源 UVLO 迟滞 上升至下降阈值 325 mV
tUVLO 电源欠压抗尖峰脉冲时间 VVM 下降至 OUTx 禁用 11 µs
IOCP 过流保护跳变点 1.76 A
tOCP 过流保护抗尖峰脉冲时间 4.2 µs
tRETRY 过流保护重试时间 1.7 ms
TTSD 热关断温度 153 193 °C
THYS 热关断滞后 22 °C
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