ZHCSLE0B August   2021  – August 2023 JFE2140

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 Revision History
  6. 5 Pin Configuration and Functions
  7. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Typical Characteristics
  8. 7 Parameter Measurement Information
    1. 7.1 AC Measurement Configurations
  9. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Precision Matching
      2. 8.3.2 Ultra-Low Noise
      3. 8.3.3 Low Gate Current
      4. 8.3.4 Input Protection
    4. 8.4 Device Functional Modes
  10. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
      1. 9.1.1 Input Protection Diodes
      2. 9.1.2 Cascode Configuration
      3. 9.1.3 Common-Source Amplifier
      4. 9.1.4 Composite Amplifiers
    2. 9.2 Typical Applications
      1. 9.2.1 Low-Noise, Low-Power, High-Input-Impedance Composite Amplifier
        1. 9.2.1.1 Design Requirements
        2. 9.2.1.2 Detailed Design Procedure
        3. 9.2.1.3 Application Curves
      2. 9.2.2 Differential Front-End Design
        1. 9.2.2.1 Application Curves
    3. 9.3 Power Supply Recommendations
    4. 9.4 Layout
      1. 9.4.1 Layout Guidelines
      2. 9.4.2 Layout Example
  11. 10Device and Documentation Support
    1. 10.1 Device Support
      1. 10.1.1 Development Support
        1. 10.1.1.1 PSpice® for TI
        2. 10.1.1.2 TINA-TI™ 仿真软件（免费下载）
        3. 10.1.1.3 TI 参考设计
        4. 10.1.1.4 滤波器设计工具
    2. 10.2 Documentation Support
      1. 10.2.1 Related Documentation
    3. 10.3 接收文档更新通知
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 Trademarks
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11Mechanical, Packaging, and Orderable Information

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

JFE2140 是使用米6体育平台手机版_好二三四 (TI) 现代高性能模拟双极工艺构建的 Burr-Brown™ 音频、匹配对分立式 JFET。JFE2140 具有以前较旧的分立式 JFET 技术所不具备的性能。JFE2140 在所有电流范围内均提供出色的噪声性能，静态电流可由用户设置，范围为 50 μA 至 20 mA。当偏置电流为 5 mA 时，该器件会产生 0.9 nV/√Hz 的输入参考噪声，从而以极高的输入阻抗 (>1TΩ) 提供超低噪声性能。此外，按照 ±4mV 测试 JFET 之间的匹配，可为差分对配置提供低失调电压和高 CMRR 性能。JFE2140 还具有连接到独立钳位节点的集成二极管，无需添加高泄漏、非线性外部二极管即可提供保护。

JFE2140 可承受 40V 的高漏源电压，以及低至 –40V 的栅源电压和栅漏电压。该器件额定工作温度范围为 –40°C 至 +125°C。

封装信息
器件型号 封装(1) 封装尺寸(2)
JFE2140 D（SOIC，8） 4.9mm x 6mm
DSG（WSON，8） 2mm x 2mm
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的封装选项附录。
(2) 封装尺寸（长 x 宽）为标称值，并包括引脚（如适用）。
器件概要
参数 值
VGSS 栅源击穿电压 -40V
VDSS 漏源击穿电压 ±40V
CISS 输入电容 13 pF
VGS1 – VGS2 差分栅源电压匹配（最大值） ±4mV
TJ 结温 –40°C 至 +125°C
IDSS 漏源饱和电流 18 mA
GUID-20210806-CA0I-NSZR-CPLV-NGNWKW5MF3F0-low.gif简化版原理图
GUID-20210810-SS0I-KDMD-HQC3-XDSTKFDQ1JW9-low.png超低输入电压噪声
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