3 说明

LM5113 器件专为同时驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧增强模式氮化镓 (GaN) FET 而设计。浮动高侧驱动器能够驱动工作电压高达 100V 的增强模式 GaN FET。该器件采用自举技术生成高侧偏置电压，并在内部将其钳位在 5.2V，从而防止栅极电压超出增强模式 GaN FET 的最大栅源电压额定值。LM5113 的输入与 TTL 逻辑兼容，并且无论 VDD 电压如何，最高都能够承受 14V 的输入电压。LM5113 具有分栅输出，可独立灵活地调节开通和关断强度。

LMG1205 是 LM5113 的增强版。LMG1205 沿用了 LM5113 的设计，包括启动逻辑、电平转换器和断电 Vgs 钳位增强，提供更加强大可靠的解决方案。

此外，LM5113 具有强劲的灌电流能力，可使栅极保持低电平状态，从而防止开关操作期间发生意外导通。LM5113 的工作频率最高可达数 MHz。LM5113 采用标准的 WSON-10 引脚封装和 12 凸点 DSBGA 封装。WSON-10 引脚封装包含外露焊盘，有助于提升散热性能。DSBGA 封装具有紧凑型特点，并且封装电感极低。

1. 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。