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LM5113

不推荐用于新设计

适用于 GaN FET 的 1.2A/5A、90V 半桥栅极驱动器

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LM5113 不推荐用于新设计
该米6体育平台手机版_好二三四会持续为现有客户提供。新设计应考虑替代米6体育平台手机版_好二三四。
open-in-new 比较替代米6体育平台手机版_好二三四
功能优于所比较器件的普遍直接替代米6体育平台手机版_好二三四
LM5113-Q1 正在供货 适用于 GaNFET 的汽车类 1.2A/5A、100V 半桥栅极驱动器 Automotive qualified
功能与比较器件相同，且具有相同引脚
LMG1205 正在供货 适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 的 1.2A/5A 90V 半桥栅极驱动器 Same specifications, DSBGA package

LM5113

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米6体育平台手机版_好二三四详情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 107 Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Peak output current (A) 5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.03 Rise time (ns) 7 Fall time (ns) 3.5 Iq (mA) 0.15 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -5 Features Bootstrap supply voltage clamp, Split outputs on high and low side Driver configuration Dual, Independent
Bootstrap supply voltage (max) (V) 107 Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Peak output current (A) 5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.03 Rise time (ns) 7 Fall time (ns) 3.5 Iq (mA) 0.15 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -5 Features Bootstrap supply voltage clamp, Split outputs on high and low side Driver configuration Dual, Independent
DSBGA (YFX) 12 3.24 mm² 1.8 x 1.8 WSON (DPR) 10 16 mm² 4 x 4
  • 独立的高侧和低侧
    TTL 逻辑输入
  • 1.2A/5A 峰值拉/灌电流
  • 高侧浮动偏置电压轨
    工作电压高达 100VDC
  • 内部自举电源电压钳位
  • 分离输出实现可调的
    开通/关断强度
  • 0.6Ω/2.1Ω 下拉/上拉电阻
  • 快速传播时间（典型值为 28ns）
  • 出色的传播延迟匹配
    （典型值为 1.5ns）
  • 电源轨欠压锁定
  • 低功耗
  • 独立的高侧和低侧
    TTL 逻辑输入
  • 1.2A/5A 峰值拉/灌电流
  • 高侧浮动偏置电压轨
    工作电压高达 100VDC
  • 内部自举电源电压钳位
  • 分离输出实现可调的
    开通/关断强度
  • 0.6Ω/2.1Ω 下拉/上拉电阻
  • 快速传播时间（典型值为 28ns）
  • 出色的传播延迟匹配
    （典型值为 1.5ns）
  • 电源轨欠压锁定
  • 低功耗

LM5113 器件专为同时驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧增强模式氮化镓 (GaN) FET 而设计。浮动高侧驱动器能够驱动工作电压高达 100V 的增强模式 GaN FET。该器件采用自举技术生成高侧偏置电压，并在内部将其钳位在 5.2V，从而防止栅极电压超出增强模式 GaN FET 的最大栅源电压额定值。LM5113 的输入与 TTL 逻辑兼容，并且无论 VDD 电压如何，最高都能够承受 14V 的输入电压。LM5113 具有分栅输出，可独立灵活地调节开通和关断强度。

LMG1205 是 LM5113 的增强版。LMG1205 沿用了 LM5113 的设计，包括启动逻辑、电平转换器和断电 Vgs 钳位增强，提供更加强大可靠的解决方案。

此外，LM5113 具有强劲的灌电流能力，可使栅极保持低电平状态，从而防止开关操作期间发生意外导通。LM5113 的工作频率最高可达数 MHz。LM5113 采用标准的 WSON-10 引脚封装和 12 凸点 DSBGA 封装。WSON-10 引脚封装包含外露焊盘，有助于提升散热性能。DSBGA 封装具有紧凑型特点，并且封装电感极低。

LM5113 器件专为同时驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧增强模式氮化镓 (GaN) FET 而设计。浮动高侧驱动器能够驱动工作电压高达 100V 的增强模式 GaN FET。该器件采用自举技术生成高侧偏置电压，并在内部将其钳位在 5.2V，从而防止栅极电压超出增强模式 GaN FET 的最大栅源电压额定值。LM5113 的输入与 TTL 逻辑兼容，并且无论 VDD 电压如何，最高都能够承受 14V 的输入电压。LM5113 具有分栅输出，可独立灵活地调节开通和关断强度。

LMG1205 是 LM5113 的增强版。LMG1205 沿用了 LM5113 的设计，包括启动逻辑、电平转换器和断电 Vgs 钳位增强，提供更加强大可靠的解决方案。

此外，LM5113 具有强劲的灌电流能力，可使栅极保持低电平状态，从而防止开关操作期间发生意外导通。LM5113 的工作频率最高可达数 MHz。LM5113 采用标准的 WSON-10 引脚封装和 12 凸点 DSBGA 封装。WSON-10 引脚封装包含外露焊盘，有助于提升散热性能。DSBGA 封装具有紧凑型特点，并且封装电感极低。
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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 LM5113 80V 1.2A、5A 半桥 GaN 驱动器 数据表 (Rev. I) PDF | HTML 英语版 (Rev.I) PDF | HTML 2019年 12月 12日

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
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  • 制造厂地点
  • 封装厂地点