利用我们先进的功率级器件，更大限度地减小解决方案尺寸，更大限度地提高功率密度，优化效率，并增强系统保护功能。将我们具有高精度遥测功能的智能功率级与我们的可扩展多相控制器相集成，可提供简化的多相直流/直流系统解决方案。这种集成可消除冗余元件、降低开关损耗并提高整体系统可靠性，实现紧凑的外形尺寸。此外，我们的氮化镓 (GaN) FET 系列具有集成的栅极驱动器和 GaN 功率器件，可提供具有整个生命周期的可靠性和成本优势的高效 GaN 解决方案。
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我们的 GaN 和 Si MOSFET 功率级可提高系统效率并简化设计
专为可靠性而构建
我们的 GaN 器件采用专有的硅基 GaN 工艺且已经过 4,000 多万小时的可靠性测试，并具备各种保护功能，旨在确保高压系统的安全。
高度集成
集成 MOSFET、驱动器和电流检测功能提供完整的开关功能，因此可消除无源元件，进而减小解决方案尺寸并简化印刷电路板布局布线。
磁性元件更小、功率密度更高
我们的 GaN 器件具有更快的开关速度，可帮助您实现超过 500kHz 的开关频率，从而将磁性元件尺寸缩减高达 60%、提升性能并降低系统成本。
技术资源
应用手册
适用于 600V GaN 功率级的 QFN12x12 封装的热性能 (Rev. A)
热管理可以决定大功率设计的成败。我们的 QFN 12mm x 12mm 封装专为在各种应用中实现出色性能而设计。了解有关该封装的更多信息，并阅读有关如何优化热设计的提示。
应用手册
Power loss calculation with CSI consideration for synchronous buck converters (Rev. A)
同步降压转换器是一种在低电压、高电流应用中广泛使用的拓扑。低功率损耗的高效同步降压转换器对未来的先进微处理器有很大的需求。
白皮书
GaN 器件的直接驱动配置 (Rev. A)
我们的 dMode GaN 器件系列无需共源共栅即可实现常关操作。详细了解直接驱动及其优势。