主页 电源管理 Power stages 氮化镓 (GaN) 功率级
主页
电源管理
Power stages
氮化镓 (GaN) 功率级
新

LMG2100R044

正在供货

具有集成驱动器和保护功能的 100V 4.4mΩ 半桥 GaN FET

立即订购
数据表

LMG2100R044

正在供货
数据表 立即订购

米6体育平台手机版_好二三四详情

VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 4.4 ID (max) (A) 35 Features Built-in bootstrap diode, Half-bridge, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 4.4 ID (max) (A) 35 Features Built-in bootstrap diode, Half-bridge, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
WQFN-FCRLF (RAR) 16 See data sheet
  • Integrated 4.4mΩ half-bridge GaN FETs and driver
  • 90V continuous, 100V pulsed voltage rating
  • Package optimized for easy PCB layout
  • High slew rate switching with low ringing
  • 5V external bias power supply
  • Supports 3.3V and 5V input logic levels
  • Gate driver capable of up to 10MHz switching
  • Excellent propagation delay (33ns typical) and matching (2ns typical)
  • Internal bootstrap supply voltage clamping to prevent GaN FET Overdrive
  • Supply rail undervoltage for lockout protection
  • Low power consumption
  • Exposed top QFN package for top-side cooling
  • Large GND pad for bottom-side cooling
  • Integrated 4.4mΩ half-bridge GaN FETs and driver
  • 90V continuous, 100V pulsed voltage rating
  • Package optimized for easy PCB layout
  • High slew rate switching with low ringing
  • 5V external bias power supply
  • Supports 3.3V and 5V input logic levels
  • Gate driver capable of up to 10MHz switching
  • Excellent propagation delay (33ns typical) and matching (2ns typical)
  • Internal bootstrap supply voltage clamping to prevent GaN FET Overdrive
  • Supply rail undervoltage for lockout protection
  • Low power consumption
  • Exposed top QFN package for top-side cooling
  • Large GND pad for bottom-side cooling

The LMG2100R044 device is a 90V continuous, 100V pulsed, 35A half-bridge power stage, with integrated gate-driver and enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The device consists of two 100V GaN FETs driven by one high-frequency 90V GaN FET driver in a half-bridge configuration.

GaN FETs provide significant advantages for power conversion as they have zero reverse recovery and very small input capacitance CISS and output capacitance COSS. All the devices are mounted on a completely bond-wire free package platform with minimized package parasitic elements. The LMG2100R044 device is available in a 5.5mm × 4.5mm × 0.89mm lead-free package and can be easily mounted on PCBs.

The TTL logic compatible inputs can support 3.3V and 5V logic levels regardless of the VCC voltage. The proprietary bootstrap voltage clamping technique ensures the gate voltages of the enhancement mode GaN FETs are within a safe operating range.

The device extends advantages of discrete GaN FETs by offering a more user-friendly interface. It is an ideal solution for applications requiring high-frequency, high-efficiency operation in a small form factor.

The LMG2100R044 device is a 90V continuous, 100V pulsed, 35A half-bridge power stage, with integrated gate-driver and enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The device consists of two 100V GaN FETs driven by one high-frequency 90V GaN FET driver in a half-bridge configuration.

GaN FETs provide significant advantages for power conversion as they have zero reverse recovery and very small input capacitance CISS and output capacitance COSS. All the devices are mounted on a completely bond-wire free package platform with minimized package parasitic elements. The LMG2100R044 device is available in a 5.5mm × 4.5mm × 0.89mm lead-free package and can be easily mounted on PCBs.

The TTL logic compatible inputs can support 3.3V and 5V logic levels regardless of the VCC voltage. The proprietary bootstrap voltage clamping technique ensures the gate voltages of the enhancement mode GaN FETs are within a safe operating range.

The device extends advantages of discrete GaN FETs by offering a more user-friendly interface. It is an ideal solution for applications requiring high-frequency, high-efficiency operation in a small form factor.

filter 查找其他 氮化镓 (GaN) 功率级
下载 观看带字幕的视频 视频

技术文档

star =有关此米6体育平台手机版_好二三四的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 4
类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 LMG2100R044 100V, 35A GaN Half-Bridge Power Stage 数据表 (Rev. B) PDF | HTML 2024年 3月 15日
技术文章 GaN 可推動電子設計轉型的 4 種中電壓應用 PDF | HTML 2024年 2月 20日
技术文章 GaN 将革新四种中压应用的电子设计 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2024年 2月 20日
技术文章 GaN이 전자 설계를 혁신하는 4가지 중전압 애플리케이션 PDF | HTML 2024年 2月 20日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

LMG2100EVM-078 — LMG2100 评估模块

LMG2100 评估模块 (EVM) 是一款紧凑、易用的功率级，可配置为使用半桥设计的降压转换器、升压转换器或其他转换器拓扑。此 EVM 具有一个 LMG2100 半桥电源模块和两个 100V 4.4mΩ GaN FET。
用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
TI.com 上无现货
仿真模型

LMG2100 SIMPLIS Model

SNOM797.ZIP (87 KB) - SIMPLIS Model
下载
计算工具

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
支持的米6体育平台手机版_好二三四和硬件

支持的米6体育平台手机版_好二三四和硬件

米6体育平台手机版_好二三四
氮化镓 (GaN) 功率级
LMG2100R026 — 100V 2.6mΩ 半桥氮化镓 (GaN) 功率级 LMG2100R044 — 具有集成驱动器和保护功能的 100V 4.4mΩ 半桥 GaN FET LMG2610 — 具有集成驱动器、保护和电流检测功能且适用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半桥 LMG2650 — 具有集成驱动器、保护和电流检测功能的 650V、95mΩ GaN 半桥 LMG3410R050 — 具有集成驱动器和保护功能的 600V 50mΩ GaN LMG3410R070 — 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN LMG3410R150 — 具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150mΩ GaN LMG3411R050 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 50mΩ GaN LMG3411R070 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 70mΩ GaN LMG3411R150 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 150mΩ GaN LMG3422R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3422R050 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50mΩ GaN FET LMG3425R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 30mΩ GaN FET LMG3425R050 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 50mΩ GaN FET LMG3426R030 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3426R050 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 50mΩ GaN FET LMG3427R030 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3522R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的汽车类 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R050 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 50mΩ GaN FET LMG3526R030 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 650V 30mΩ GaN FET LMG3526R050 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测报告功能的 650V 50mΩ GaN FET LMG5200 — 80V GaN 半桥功率级
下载
参考设计

TIDA-010933 — 基于 GaN 的 1.6kW 双向微型逆变器参考设计

此参考设计展示了一款具有储能功能的基于 GaN 的四输入双向 1.6kW 微型逆变器。
设计指南: PDF
参考设计

PMP23340C2K — 采用 C2000™ MCU 且支持 GaN 的 48V 至 12V 1.1kW 1/8 砖型电源模块参考设计

此参考设计展示了高性能 GaN 如何为中间总线转换器实现高效率和小外形尺寸。
测试报告: PDF
参考设计

PMP23340UCD — 采用数字电源隔离式控制器且支持 GaN 的 48V 至 12V 1.1kW 1/8 砖型参考设计

此参考设计展示了高性能 GaN 如何通过使用 UCD3138ARJAT 数字电源隔离式控制器，为中间总线转换器实现高效率和小外形尺寸。
测试报告: PDF
参考设计

TIDA-010042 — 基于 GaN 的 400W MPPT 充电控制器和电源优化器参考设计

该参考设计是一款适用于 12V 和 24V 电池的最大功率点跟踪 (MPPT) 太阳能充电控制器，未来可用作电源优化器。该参考设计布局紧凑，适用于中小型太阳能充电器设计，可使用 15V 至 60V 太阳能电池板模块、12V 或 24V 电池供电运行，提供高达 16A 的输出电流。该设计利用降压转换器将太阳能电池板电压降低至电池电压。具有内部集成驱动器的半桥功率级由微控制器单元 (MCU) 控制，该微控制器单元使用扰动观测法计算最大功率点。该太阳能 MPPT 充电控制器在设计时便将各种实际设计注意事项考虑在内，其中包括电池反向保护、软件可编程警报和指示以及浪涌和 ESD 保护等。
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

TIDA-010936 — 适用于集成电机驱动器的 48V/16A 小型三相 GaN 逆变器参考设计

此参考设计展示了采用三个具有集成式 GaN FET、驱动器和自举二极管的 100V、35A GaN 半桥 LMG2100R044 的高功率密度 12V 至 60V 三相功率级，专门用于电机集成式伺服驱动器和机器人应用。  
通过使用 IN241A 电流检测放大器，实现了精确的相电流检测；同时测量了直流链路电压和相电压，从而能够验证诸如 InstaSPIN-FOC™ 等先进的无传感器设计。该设计提供与 TI BoosterPack 兼容的 3.3V I/O 接口，用于连接 C2000™ MCU LaunchPad™ 开发套件或 Sitara™ 微控制器，以便快速轻松地评估我们的 GaN 技术。
设计指南: PDF
参考设计

PMP41068 — 采用 GaN 的 100W D 类音频放大器参考设计

此参考设计演示了采用 GaN HEMT 的单端 D 类功率级。本设计采用 LMG2100R044 作为电源开关，工作频率为 1MHz。
测试报告: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
WQFN-FCRLF (RAR) 16 Ultra Librarian
应遵守 TI 评估类商品的标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

视频