TI 的 NexFET™ MOSFET 可提供各种 N 沟道和 P 沟道电源模块以及分立式电源解决方案。我们高度集成的 MOSFET 支持更高的效率、更长的电池寿命、更高的功率密度和更高的频率，可实现快速开关。这些优势可在外形小巧的封装中提供设计灵活性，并使设计工程师能够缩短米6体育平台手机版_好二三四上市时间。
按类别浏览
N 沟道 MOSFET
P 沟道 MOSFET
电源块
了解有关我们的 MOSFET 的更多信息
自 20 世纪 80 年代中期开始，非钳位电感式开关 (UIS) 额定值普遍应用在 MOSFET 数据表中。事实证明，该参数非常实用。虽然在实际应用中不建议 FET 重复发生雪崩，但工程师已经学会了使用该指标来避免在设计中使用可能会导致问题的较弱器件。
技术文章
Understanding MOSFET data sheets, Part 1 - UIS/avalanche ratings
了解如何解读 MOSFET 数据表上的 UIS/雪崩额定值。
可以通过 5 个不同的限制条件得出 MOSFET SOA，即电阻、电流、最大功率、热不稳定性和 MOSFET 电压。了解如何解读 MOSFET 数据表上的 SOA 曲线。
技术文章
Understanding MOSFET data sheets, Part 2 - Safe operating area (SOA) graph
了解如何解读 MOSFET 数据表上的 SOA 曲线。
了解 MOSFET 电流额定值的测量方法并不像确定 RDS(ON) 和栅极电荷等参数那样，而是通过计算得出，并可以通过多种不同的方式得出。
技术文章
Understanding MOSFET data sheets, Part 3 - Continuous current ratings
了解 MOSFET 电流额定值的测量方法并不像确定 RDS(ON) 和栅极电荷等参数那样，而是通过计算得出，并可以通过多种不同的方式得出。
了解 MOSFET 数据表中显示的其他开关参数以及它们与器件整体性能的关系（或没有关系）。
技术文章
Understanding MOSFET data sheets, Part 5 – Switching Parameters
了解 MOSFET 数据表中显示的其他开关参数以及它们与器件整体性能的关系（或没有关系）。
MOSFET 在电路中的性能在很大程度上取决于器件的热性能。
通过 FET 数据表了解结至环境热阻抗和结至外壳热阻抗参数并了解这些数值是如何得出的。
了解如何快速权衡尺寸、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。一位 TI MOSFET 应用专家介绍了众多基于应用的 MOSFET 功率损耗工具中的一个示例。