升压转换器的总损耗 (P_TOTAL) 可表示为以下损耗之和：器件中的损耗 (P_IC)、MOSFET 功率损耗 (P_Q)、二极管功率损耗 (P_D)、电感器功率损耗 (P_L) 和检测电阻中的损耗 (P_RS)。

方程式 19.

P_IC 可分为栅极驱动损耗 (P_G) 和静态电流导致的损耗 (P_IQ)。

方程式 20.

每种功率损耗的近似计算方法如下：

方程式 21.

方程式 22.

每种模式下的 I_VIN 和 I_VOUT 值可在节 8.5 的电源电流部分中找到。

P_Q 可分为开关损耗 (P_Q(SW)) 和导通损耗 (P_Q(COND))。

方程式 23.

每种功率损耗的近似计算方法如下：

方程式 24.

t_R 和 t_F 是低侧 N 沟道 MOSFET 器件的上升时间和下降时间。I_SUPPLY 是升压转换器的输入电源电流。

方程式 25.

R_DS(ON) 是 MOSFET 数据表中规定的 MOSFET 导通电阻。考虑自热导致的 R_DS(ON) 增加。

P_D 可以分为二极管导通损耗 (P_VF) 和反向恢复损耗 (P_RR)。

方程式 26.

每种功率损耗的近似计算方法如下：

方程式 27.

方程式 28.

Q_RR 是二极管的反向恢复电荷，会在二极管数据表中指定。二极管的反向恢复特性对效率有很大影响，在高输出电压下尤其如此。

P_L 是 DCR 损耗 (P_DCR) 和交流磁芯损耗 (P_AC) 之和。DCR 是电感器数据表中提到的电感器直流电阻。

方程式 29.

每种功率损耗的近似计算方法如下：

方程式 30.

方程式 31.

方程式 32.

∆I 是峰峰值电感器电流纹波。K、α 和 β 是磁芯相关因素、可由电感器制造商提供。

P_RS 的计算公式如下：

方程式 33.

电源转换器的效率可按照如下方式进行估计：

方程式 34.