ZHCSJ61F August 2018 – August 2023 LM5155-Q1 , LM51551-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 应用
- 3 说明
- 4 修订历史记录
- 5 说明（续）
- 6 器件比较表
- 7 引脚配置和功能
- 8 规格
-
9 详细说明
- 9.1 概述
- 9.2 功能方框图
- 9.3
特性说明
- 9.3.1 线路欠压锁定（UVLO/SYNC 引脚）
- 9.3.2 高压 VCC 稳压器（BIAS、VCC 引脚）
- 9.3.3 软启动（SS 引脚）
- 9.3.4 开关频率（RT 引脚）
- 9.3.5 时钟同步（UVLO/SYNC 引脚）
- 9.3.6 电流检测和斜率补偿（CS 引脚）
- 9.3.7 电流限制和最短导通时间（CS 引脚）
- 9.3.8 反馈和误差放大器（FB、COMP 引脚）
- 9.3.9 电源正常状态指示器（PGOOD 引脚）
- 9.3.10 断续模式过载保护（仅限 LM51551）
- 9.3.11 最大占空比限制和最小输入电源电压
- 9.3.12 MOSFET 驱动器（GATE 引脚）
- 9.3.13 过压保护 (OVP)
- 9.3.14 热关断 (TSD)
- 9.4 器件功能模式
- 10应用和实施
- 11电源相关建议
- 12布局
- 13器件和文档支持
- 14机械、封装和可订购信息
9.3.12 MOSFET 驱动器（GATE 引脚）
该器件提供一个 N 沟道 MOSFET 驱动器，可灌入或拉取 1.5A 的峰值电流。当提供高于 6.75V VCC 稳压目标的外部 VCC 时，峰值拉电流更大。在启动期间，尤其是当输入电压范围低于 VCC 稳压目标时，VCC 电压必须足以完全增强 MOSFET。如果在启动期间 MOSFET 驱动器电压低于 MOSFET 栅极平坦电压，则升压转换器可能无法正常启动，并且可能会在高功耗状态下保持在最大占空比。通过选择较低阈值 N 沟道 MOSFET 开关，并将 VSUPPLY(ON) 设置为大于 6V 至 7V，可避免这种情况。由于内部 VCC 稳压器拉电流能力有限，因此 MOSFET 栅极电荷应满足以下不等式。
方程式 18. 
在 GATE 和 PGND 之间连接一个内部 1MΩ 电阻，防止关断期间误导通。在升压拓扑中，必须在 65μs 内部启动延迟期间限制开关节点 dV/dT，以避免由 MOSFET 的 CDG 寄生电容耦合所导致的误导通。