LM7480 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制、浪涌电流限制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持。具有 20mA 峰值栅极拉电流驱动器级以及短导通和关断延迟时间的强电荷泵可确保快速的瞬态响应，从而确保在 ECU 会收到交流叠加输入信号的汽车测试（如 ISO16750 或 LV124）期间实现稳健的性能。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许负载断开（开/关控制）并使用 HGATE 控制提供过压保护。该器件在 SW 和 OVP 端子之间使用一个编程电阻来实现可调节的过压切断保护功能。

LM7480 控制器可以在共漏极和共源极配置下驱动外部 MOSFET。通过功率 MOSFET 的共漏极配置，可以使用另一个理想二极管将中点用于 OR-ing 设计。LM7480 的最大额定电压为 65V。通过在共源极拓扑中为器件配置外部 MOSFET，可以保护负载免受过压瞬态（例如 24V 电池系统中的 200V 未抑制负载突降）的影响。

LM74800 通过控制 MOSFET 的 DGATE，将正向压降调节至 10.5mV。这些器件中的线性稳压方案可实现对栅极电压的良好控制，在反向电流事件期间关断 MOSFET，并确保零直流反向电流。LM74801 采用基于比较器的方案来导通/关断 MOSFET 栅极。

该器件具有使能控制功能。在待机模式期间使能引脚处于低电平的情况下，外部 MOSFET 和控制器均处于关断状态，并消耗 2.87μA 的极低电流。LM7480 的高电压额定值有助于简化满足 ISO7637 汽车保护测试标准的系统设计。LM74800 也适用于 ORing 应用。