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理想二极管/ORing 控制器

LM7480

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具有 -55°C 至 125°C 工作温度范围的 3V 至 65V 背对背 NFET 理想二极管控制器

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米6体育平台手机版_好二三四详情

Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 65 Number of channels 1 Features Automotive load dump compatibility, Inrush current control, Linear control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.412 Iq (max) (mA) 0.495 FET External back-to-back FET IGate source (typ) (µA) 20000 IGate sink (typ) (mA) 2670 IGate pulsed (typ) (A) 2.6 Operating temperature range (°C) -55 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -4.5 Design support EVM, Simulation Model Rating Catalog Imax (A) 300 VGS (max) (V) 15 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.003 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
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WSON (DRR) 12 9 mm² 3 x 3
  • 适用于扩展温度范围的应用
    • 器件温度： -55°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 3V 至 65V 输入范围
  • 反向输入保护低至 –65V
  • 在共漏极和共源极配置下，可驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
  • 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行 (LM74800)
  • 低反向检测阈值 (–4.5mV)，能够快速响应 (0.5µs)
  • 20mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
  • 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
  • 可调节过压保护
  • 2.87µA 低关断电流（EN/UVLO = 低电平）
  • 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装
  • 适用于扩展温度范围的应用
    • 器件温度： -55°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 3V 至 65V 输入范围
  • 反向输入保护低至 –65V
  • 在共漏极和共源极配置下，可驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
  • 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行 (LM74800)
  • 低反向检测阈值 (–4.5mV)，能够快速响应 (0.5µs)
  • 20mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
  • 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
  • 可调节过压保护
  • 2.87µA 低关断电流（EN/UVLO = 低电平）
  • 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装

LM7480 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 输入供电系统。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许负载断开（开/关控制）并使用 HGATE 控制提供过压保护。该器件具有可调节过压切断保护功能。LM7480 有两种型号：LM74800 和 LM74801。LM74800 使用线性稳压和比较器方案来实现反向电流阻断功能，而 LM74801 支持基于比较器的方案。通过功率 MOSFET 的共漏极配置，可以使用另一个理想二极管将中点用于 ORing 设计。LM7480 的最大额定电压为 65V。通过在共源极拓扑中为器件配置外部 MOSFET，可以保护负载免受过压瞬态（例如 24V 电池系统中的 200V 未抑制负载突降）的影响。

LM7480 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 输入供电系统。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许负载断开（开/关控制）并使用 HGATE 控制提供过压保护。该器件具有可调节过压切断保护功能。LM7480 有两种型号：LM74800 和 LM74801。LM74800 使用线性稳压和比较器方案来实现反向电流阻断功能，而 LM74801 支持基于比较器的方案。通过功率 MOSFET 的共漏极配置，可以使用另一个理想二极管将中点用于 ORing 设计。LM7480 的最大额定电压为 65V。通过在共源极拓扑中为器件配置外部 MOSFET，可以保护负载免受过压瞬态（例如 24V 电池系统中的 200V 未抑制负载突降）的影响。
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* 数据表 LM7480 用于驱动背对背 NFET 的 3V 至 65V 理想二极管控制器 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2021年 3月 8日

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The design calculator allows user to estimate the FET SOA margin while starting up with dVdt based startup for inrush current control
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理想二极管/ORing 控制器
LM7481-Q1 — 具有有源整流功能、可驱动 B2B NFET 的汽车类理想二极管控制器 LM7481 — 具有高栅极驱动、温度范围为 -55°C 至 125°C 的 3V 至 65V 背对背 NFET 理想二极管控制器 LM74502-Q1 — 汽车类反极性保护控制器，过压保护，栅极驱动强度 60μA LM74502 — 具有负载断开和高栅极驱动功能的 3.2V 至 65V 工业 RPP 控制器 LM74502H — 具有负载断开、OVP 和高栅极驱动功能的 3.2V 至 65V 工业 RPP 控制器 LM74502H-Q1 — 汽车类反极性保护控制器，过压保护，栅极驱动强度 11mA LM74720-Q1 — 具有有源整流和负载突降保护功能的汽车类低 IQ 理想二极管控制器 LM74721-Q1 — 具有有源整流功能的汽车类无 TVS、低 IQ 反向电池保护理想二极管控制器 LM74722-Q1 — 具有 200kHz 有源整流和负载突降保护功能的汽车类低 IQ 理想二极管控制器 LM7480-Q1 — 用于驱动背对背 NFET 的 3V 至 65V、汽车理想二极管控制器 LM7480 — 具有 -55°C 至 125°C 工作温度范围的 3V 至 65V 背对背 NFET 理想二极管控制器
高侧开关控制器
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PMP22951 — 具有有源钳位的 54V、3kW 相移全桥参考设计

该参考设计是一款基于 GaN 的 3kW 相移全桥 (PSFB) 转换器。此设计在次级侧使用了有源钳位来最大限度地减小同步整流器 (SR) MOSFET 上的电压应力，从而支持使用具有更优品质因数 (FOM) 的较低电压等级 MOSFET。PMP22951 在初级侧使用 30mΩ GaN，并在同步整流器中使用 100V、1.8mΩ GaN。通过使用 TMS320F280049C 实时微控制器，可实现 PSFB 控制。PSFB 转换器在 140kHz 开关频率下运行，可在 385V 输入下实现 97.45% 的峰值效率。
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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
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