LM74721-Q1
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
- 器件温度等级 1: –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
- 3V 至 65V 输入范围
- 反向输入保护低至 -33V
- 针对输入的无 TVS 运行集成 VDS 钳位,从而实现符合 ISO7637 标准的脉冲抑制
- 低静态电流:运行时 35µA(最大值)
- 3.3µA(最大值)低关断电流(EN = 低电平)
- 17 mV 阳极至阴极正向压降调节下,理想二极管正常运行
- 驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
- 集成型 30mA 升压稳压器
- 快速响应反向电流阻断:0.5 µs
- 高达 100 kHz 的有源整流
- 可调节过压保护
- 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装
- 与 LM74720-Q1 引脚对引脚兼容
LM74721-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET,从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –33V(直流)负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (GATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管,以实现反向输入保护和输出电压保持功能。集成的 VDS 钳位功能可实现输入无 TVS 的系统设计,从而在汽车应用中实现符合 ISO7637 标准的脉冲抑制。具有快速导通和关断比较器的强大升压稳压器可确保在汽车测试(如 ISO16750 或 LV124)期间实现稳健、高效的 MOSFET 开关性能,期间 ECU 会收到输入短时中断以及频率高达 100kHz 的交流叠加输入信号。运行期间的低静态电流 35µA(最大值)可实现常开型系统设计。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下,该器件允许使用 EN 引脚实现负载断开控制。在 EN 处于低电平时,静态电流降至 3.3µA(最大值)。该器件具有可调节过压切断保护功能,可提供负载突降保护。
技术文档
类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
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* | 数据表 | LM74721-Q1 具有有源整流特性的无 TVS 低 IQ 汽车类反向电池保护理想二极管控制器 数据表 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2022年 7月 21日 |
应用简报 | 汽车 ECU 设计中的有源整流及其优势 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2022年 11月 14日 | |
证书 | LM74721EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) | 2022年 5月 27日 | ||||
应用手册 | 理想二极管基础知识 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2022年 5月 26日 | |
技术文章 | 3 ways to design a low quiescent-current (Iq) automotive reverse battery protectio | PDF | HTML | 2021年 11月 18日 | |||
模拟设计期刊 | 汽车反向电池保护设计中的 TVS-less | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2021年 10月 22日 | |
模拟设计期刊 | 使用理想二极管控制器实现符合汽车EMC 标准的反向电池保护 | 英语版 | 2020年 12月 2日 |
设计和开发
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LM74721EVM — 适用于 LM74721-Q1 理想二极管控制器的评估模块
LM74721EVM 评估模块可帮助设计人员评估 LM74721-Q1 理想二极管控制器在反向电池保护应用中的运行情况和性能。LM74721-Q1 具有低 IQ,通过集成的升压稳压器可实现快速瞬态响应,通过集成的 VDS 钳位可实现输入的无 TVS 运行。本评估模块演示了 LM74721-Q1 如何通过连接理想二极管 MOSFET、使用另一个 MOSFET 实现开关输出和电源路径切断来控制两个背对背 N 沟道功率 MOSFET。
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