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理想二极管/ORing 控制器

LM74722-Q1

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具有 200kHz 有源整流和负载突降保护功能的汽车类低 IQ 理想二极管控制器

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LM74722-Q1

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米6体育平台手机版_好二三四详情

Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 65 Number of channels 1 Features Automotive load dump compatibility, Enable, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.032 Iq (max) (mA) 0.038 TI functional safety category Functional Safety-Capable FET External back-to-back FET, External single FET IGate sink (typ) (mA) 2.1 IGate pulsed (typ) (A) 2.1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -6.5 Design support EVM Rating Automotive VGS (max) (V) 13 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.0035 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 65 Number of channels 1 Features Automotive load dump compatibility, Enable, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.032 Iq (max) (mA) 0.038 TI functional safety category Functional Safety-Capable FET External back-to-back FET, External single FET IGate sink (typ) (mA) 2.1 IGate pulsed (typ) (A) 2.1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -6.5 Design support EVM Rating Automotive VGS (max) (V) 13 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.0035 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
WSON (DRR) 12 9 mm² 3 x 3
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 器件温度等级 1： –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 3V 至 65V 输入范围
  • 反向输入保护低至 –65V
  • 低静态电流：运行时 35µA（最大值）
  • 3.3µA（最大值）低关断电流（EN = 低电平）
  • 13mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行
  • 驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
  • 集成型 30mA 升压稳压器
  • 高达 200 kHz 的有源整流
  • 快速响应反向电流阻断：0.5µs
  • 快速正向 GATE 导通延迟：0.72µs
  • 可调节过压保护
  • 采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求
  • 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 器件温度等级 1： –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 3V 至 65V 输入范围
  • 反向输入保护低至 –65V
  • 低静态电流：运行时 35µA（最大值）
  • 3.3µA（最大值）低关断电流（EN = 低电平）
  • 13mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行
  • 驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
  • 集成型 30mA 升压稳压器
  • 高达 200 kHz 的有源整流
  • 快速响应反向电流阻断：0.5µs
  • 快速正向 GATE 导通延迟：0.72µs
  • 可调节过压保护
  • 采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求
  • 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装

LM74722-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (GATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，实现反向输入保护和输出电压保持功能。具有快速导通和关断比较器的强大升压稳压器可确保在汽车测试（如 ISO16750 或 LV124）期间实现稳健、高效的 MOSFET 开关性能，期间 ECU 会收到输入短时中断以及频率高达 200kHz 的交流叠加输入信号。运行期间的低静态电流 35µA（最大值）可实现常开型系统设计。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许使用 EN 引脚实现负载断开控制。在 EN 处于低电平时，静态电流降至 3.3µA（最大值）。该器件具有可调节过压切断保护或使用 OV 引脚的过压钳位保护。

LM74722-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (GATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，实现反向输入保护和输出电压保持功能。具有快速导通和关断比较器的强大升压稳压器可确保在汽车测试（如 ISO16750 或 LV124）期间实现稳健、高效的 MOSFET 开关性能，期间 ECU 会收到输入短时中断以及频率高达 200kHz 的交流叠加输入信号。运行期间的低静态电流 35µA（最大值）可实现常开型系统设计。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许使用 EN 引脚实现负载断开控制。在 EN 处于低电平时，静态电流降至 3.3µA（最大值）。该器件具有可调节过压切断保护或使用 OV 引脚的过压钳位保护。
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* 数据表 LM74722-Q1 具有 200kHz 有源整流和负载突降保护功能的汽车类低 IQ 理想二极管控制器 数据表 (Rev. B) PDF | HTML 英语版 (Rev.B) PDF | HTML 2022年 8月 8日
应用简报 汽车 ECU 设计中的有源整流及其优势 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2022年 11月 14日
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用户指南 LM7472EVM: Evaluation Module for LM74720-Q1 & LM74722-Q1 Ideal Diode Controllers PDF | HTML 2021年 9月 15日
模拟设计期刊 使用理想二极管控制器实现符合汽车EMC 标准的反向电池保护 英语版 2020年 12月 2日

设计和开发

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评估板

LM7472EVM — LM74720-Q1 和 LM74722-Q1 理想二极管控制器评估模块

TI 的评估模块 LM7472EVM 可帮助设计人员评估 LM74720-Q1 和 LM74722-Q1 理想二极管控制器在反向电池保护应用中的运行情况和性能。LM7472x-Q1 具有低 IQ，通过集成的升压稳压器可实现快速瞬态响应。本评估模块演示了 LM7472x-Q1 如何通过连接理想二极管 MOSFET、使用另一个 MOSFET 实现开关输出和电源路径切断来控制两个背对背 N 沟道功率 MOSFET。

用户指南: PDF | HTML
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仿真模型

LM7472x-Q1 PSpice Transient Model

SLVMDO2.ZIP (84 KB) - PSpice Model
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计算工具

FET-INRUSH-SOA-CALC — FET SOA margin calculator for dvdt based startup

The design calculator allows user to estimate the FET SOA margin while starting up with dVdt based startup for inrush current control
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理想二极管/ORing 控制器
LM7481-Q1 — 具有有源整流功能、可驱动 B2B NFET 的汽车类理想二极管控制器 LM7481 — 具有高栅极驱动、温度范围为 -55°C 至 125°C 的 3V 至 65V 背对背 NFET 理想二极管控制器 LM74502-Q1 — 汽车类反极性保护控制器，过压保护，栅极驱动强度 60μA LM74502 — 具有负载断开和高栅极驱动功能的 3.2V 至 65V 工业 RPP 控制器 LM74502H — 具有负载断开、OVP 和高栅极驱动功能的 3.2V 至 65V 工业 RPP 控制器 LM74502H-Q1 — 汽车类反极性保护控制器，过压保护，栅极驱动强度 11mA LM74720-Q1 — 具有有源整流和负载突降保护功能的汽车类低 IQ 理想二极管控制器 LM74721-Q1 — 具有有源整流功能的汽车类无 TVS、低 IQ 反向电池保护理想二极管控制器 LM74722-Q1 — 具有 200kHz 有源整流和负载突降保护功能的汽车类低 IQ 理想二极管控制器 LM7480-Q1 — 用于驱动背对背 NFET 的 3V 至 65V、汽车理想二极管控制器 LM7480 — 具有 -55°C 至 125°C 工作温度范围的 3V 至 65V 背对背 NFET 理想二极管控制器
高侧开关控制器
TPS4800-Q1 — 具有保护和诊断功能的汽车级 100V 低 IQ 高侧驱动器 TPS4810-Q1 — 具有短路保护和诊断功能的汽车类 100V 低 IQ 双通道高侧驱动器 TPS4811-Q1 — 具有保护和诊断功能的汽车级 3.5V 至 100V 高侧驱动器 TPS1200-Q1 — 具有保护和诊断功能的汽车级 45V 低 IQ 高侧驱动器 TPS1210-Q1 — 具有短路保护和诊断功能的汽车级 45V 低 IQ 双路高侧驱动器 TPS1211-Q1 — 具有保护和诊断功能的汽车级 3.5V 至 45V 高侧驱动器 TPS1213-Q1 — 具有低功耗模式和可调节短路保护功能的汽车类 45V 低 IQ 高侧驱动器
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模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源米6体育平台手机版_好二三四系列以及精选的模拟行为模型。

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在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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包含信息：
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  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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