至少需要 1µF C_VS 电容。在 200V 负载突降期间，电阻 R₁ 和齐纳二极管 D₁ 用于通过将 V_VS 钳位到 60V 来防止 VS 引脚超过最大额定值。选择 R₁ = 10kΩ 时，齐纳二极管 D1 中的峰值功率耗散 = 60V × (200V – 60V) / 10kΩ = 0.840W。BZG03B62-M 等 SMA 封装二极管可以应对 840mW 的峰值功率耗散。R1 中的峰值功率耗散 = (200V – 60V)² / 10kΩ = 1.96W。一个采用 1210 封装且具有 0.5W 直流额定功率和 200V 额定电压的 10kΩ 电阻可承受长达 350ms 的 200V 负载突降。