LM7480 控制两个 N 沟道功率 MOSFET，DGATE 用于控制二极管 MOSFET 以模拟理想二极管，而 HGATE 用于控制第二个 MOSFET，以便在禁用时或过压保护期间切断电源路径。HGATE 控制的 MOSFET 可用于在过压或负载突降情况下钳制输出。可使用 EN/UVLO 将 LM7480 置于低静态电流模式，其中 DGATE 和 HGATE 均关断。

该器件有一个独立的电源输入引脚 (Vs)。电荷泵源自这个电源输入。LM7480 器件具有单独的电源输入配置和单独的栅极控制架构，可在系统设计架构中提供灵活性，并支持使用共漏极、共源极、ORing 和电源多路复用等各种电源路径控制拓扑进行电路设计。借助这些不同的拓扑，系统设计人员可以设计前端电源系统来满足各种系统设计要求。如需更多信息，请参阅采用理想二极管控制器且具有稳健反向电池保护功能的六种系统架构 应用报告。