ZHCSNK0 december   2022 LM7480

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 器件比较表
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议的操作条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 开关特性
    7. 7.7 典型特性
  9. 8 参数测量信息
  10. 9 详细说明
    1. 9.1 概述
    2. 9.2 功能方框图
    3. 9.3 特性说明
      1. 9.3.1 电荷泵
      2. 9.3.2 双栅极控制（DGATE、HGATE）
        1. 9.3.2.1 反向电池保护（A、C、DGATE）
        2. 9.3.2.2 负载断开开关控制（HGATE、OUT）
      3. 9.3.3 过压保护和电池电压检测（VSNS、SW、OV）
      4. 9.3.4 低 Iq 关断和欠压锁定 (EN/UVLO)
    4. 9.4 器件功能模式
    5. 9.5 应用示例
      1. 9.5.1 具有浪涌电流限制、过压保护和开/关控制功能的冗余电源 OR-ing
      2. 9.5.2 具有未抑制负载突降保护功能的理想二极管
  11. 10应用和实现
    1. 10.1 应用信息
    2. 10.2 典型的 12V 反向电池保护应用
      1. 10.2.1 12V 电池保护的设计要求
      2. 10.2.2 汽车反向电池保护
      3. 10.2.3 详细设计过程
        1. 10.2.3.1 设计注意事项
        2. 10.2.3.2 电荷泵电容 VCAP
        3. 10.2.3.3 输入和输出电容
        4. 10.2.3.4 保持电容
        5. 10.2.3.5 过压保护和电池监测器
      4. 10.2.4 MOSFET 选择：阻断 MOSFET Q1
      5. 10.2.5 MOSFET 选择：热插拔 MOSFET Q2
      6. 10.2.6 TVS 选择
      7. 10.2.7 应用曲线
    3. 10.3 200V 未抑制负载突降保护应用
      1. 10.3.1 200V 未抑制负载突降保护的设计要求
      2. 10.3.2 设计流程
        1. 10.3.2.1 升压转换器元件（C2、C3、L1）
        2. 10.3.2.2 输入和输出电容
        3. 10.3.2.3 VS 电容、电阻和齐纳钳位
        4. 10.3.2.4 过压保护和输出钳位
        5. 10.3.2.5 MOSFET Q1 选择
        6. 10.3.2.6 输入 TVS 选择
        7. 10.3.2.7 MOSFET Q2 选择
      3. 10.3.3 应用曲线
    4. 10.4 注意事项
    5. 10.5 电源相关建议
      1. 10.5.1 瞬态保护
      2. 10.5.2 适用于 12V 电池系统的 TVS 选型
      3. 10.5.3 适用于 24V 电池系统的 TVS 选型
    6. 10.6 布局
      1. 10.6.1 布局指南
      2. 10.6.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 接收文档更新通知
    2. 11.2 支持资源
    3. 11.3 商标
    4. 11.4 静电放电警告
    5. 11.5 术语表
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

10.5.1 瞬态保护

当外部 MOSFET 在过压切断、反向电流阻断、EN/UVLO 导致电流中断等条件下关断时，输入线路电感会在输入端产生正电压尖峰，而输出电感会在输出端产生负电压尖峰。电压尖峰（瞬变）的峰值振幅取决于与器件输入或输出串联的电感值。如果未采取措施解决此问题，这些瞬变可能会超过器件的绝对最大额定值。

解决瞬变的典型方法包括：

  • 最大限度减少进出器件的引线长度和电感。
  • 使用较大的 PCB GND 平面。
  • 在输出端和 GND 使用肖特基二极管来吸收负尖峰。
  • 使用低容值陶瓷电容器（C(IN) 低至约 0.1μF）来吸收能量并抑制瞬变。

输入电容的近似值可通过公式 8 进行估算。

方程式 9. GUID-66D953C5-DC2F-4C2D-82CA-36F416954DCD-low.gif

其中

  • V(IN) 是标称电源电压
  • I(LOAD) 是负载电流
  • L(IN) 等于在源极中观察到的有效电感
  • C(IN) 是输入端存在的电容

某些应用可能需要额外的瞬态电压抑制器 (TVS)，以防止瞬变超过器件的绝对最大额定值。这些瞬变可能会在 EMC 测试（例如汽车 ISO7637 脉冲）期间发生。

采用可选保护元件（陶瓷电容器、TVS 和肖特基二极管）的电路实现方案如图 10-29 所示。

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* 抑制瞬态所需的可选元件
图 10-29 采用可选保护元件的 LM7480 电路实现方案
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