ZHCSNK0 december   2022 LM7480

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 器件比较表
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议的操作条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 开关特性
    7. 7.7 典型特性
  9. 8 参数测量信息
  10. 9 详细说明
    1. 9.1 概述
    2. 9.2 功能方框图
    3. 9.3 特性说明
      1. 9.3.1 电荷泵
      2. 9.3.2 双栅极控制（DGATE、HGATE）
        1. 9.3.2.1 反向电池保护（A、C、DGATE）
        2. 9.3.2.2 负载断开开关控制（HGATE、OUT）
      3. 9.3.3 过压保护和电池电压检测（VSNS、SW、OV）
      4. 9.3.4 低 Iq 关断和欠压锁定 (EN/UVLO)
    4. 9.4 器件功能模式
    5. 9.5 应用示例
      1. 9.5.1 具有浪涌电流限制、过压保护和开/关控制功能的冗余电源 OR-ing
      2. 9.5.2 具有未抑制负载突降保护功能的理想二极管
  11. 10应用和实现
    1. 10.1 应用信息
    2. 10.2 典型的 12V 反向电池保护应用
      1. 10.2.1 12V 电池保护的设计要求
      2. 10.2.2 汽车反向电池保护
      3. 10.2.3 详细设计过程
        1. 10.2.3.1 设计注意事项
        2. 10.2.3.2 电荷泵电容 VCAP
        3. 10.2.3.3 输入和输出电容
        4. 10.2.3.4 保持电容
        5. 10.2.3.5 过压保护和电池监测器
      4. 10.2.4 MOSFET 选择：阻断 MOSFET Q1
      5. 10.2.5 MOSFET 选择：热插拔 MOSFET Q2
      6. 10.2.6 TVS 选择
      7. 10.2.7 应用曲线
    3. 10.3 200V 未抑制负载突降保护应用
      1. 10.3.1 200V 未抑制负载突降保护的设计要求
      2. 10.3.2 设计流程
        1. 10.3.2.1 升压转换器元件（C2、C3、L1）
        2. 10.3.2.2 输入和输出电容
        3. 10.3.2.3 VS 电容、电阻和齐纳钳位
        4. 10.3.2.4 过压保护和输出钳位
        5. 10.3.2.5 MOSFET Q1 选择
        6. 10.3.2.6 输入 TVS 选择
        7. 10.3.2.7 MOSFET Q2 选择
      3. 10.3.3 应用曲线
    4. 10.4 注意事项
    5. 10.5 电源相关建议
      1. 10.5.1 瞬态保护
      2. 10.5.2 适用于 12V 电池系统的 TVS 选型
      3. 10.5.3 适用于 24V 电池系统的 TVS 选型
    6. 10.6 布局
      1. 10.6.1 布局指南
      2. 10.6.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 接收文档更新通知
    2. 11.2 支持资源
    3. 11.3 商标
    4. 11.4 静电放电警告
    5. 11.5 术语表
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

10.2.3.5 过压保护和电池监测器

串联的电阻 R1、R2 和 R3 用于对过压阈值和电池监测器比率进行编程。为了将过压阈值 VOV 设置为 37.0V 并将电池监测器比率 VBATT_MON: VBATT 设置为 1:8，所需的电阻值可通过公式 3 和公式 4 计算得出。

方程式 4. GUID-2DB67FC8-4826-4A2D-9513-37A05A1D0916-low.png
方程式 5. GUID-807CD33F-375D-45CA-A6FD-928C08BF01C1-low.png

为了尽可能减小通过电阻 R1、R2 和 R3 从电池汲取的输入电流，建议使用更高的电阻值。使用高阻值电阻会增加计算误差，因为在较高值时流经电阻的电流将与流入 OV 引脚的漏电流相当。流入 OV 引脚的最大漏电流为 1µA，选择 (R1 + R2 + R3) < 120kΩ 可确保流经电阻的电流比流经 OV 引脚的漏电流大 100 倍。

根据器件电气特性，VOVR 为 1.23V，电池监测器比率 (VBATT_MON/VBATT) 设计为 1/8。要将 (R1 + R2 + R3) 限制为 < 120kΩ，请选择 (R1 + R2) = 100kΩ。根据公式 3 可计算得出 R3 = 3.45kΩ。对于 R2，根据公式 4，使用 (R1 + R2) = 100kΩ 和 R3 = 3.45kΩ，计算得出 R2 = 9.48kΩ，R1 = 90.52kΩ。

最接近电阻计算值的标准 1% 电阻值为 R1 = 90.9kΩ，R2 = 9.09kΩ，R3 = 3.48kΩ。
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