ZHCSNK0 december   2022 LM7480

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 器件比较表
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议的操作条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 开关特性
    7. 7.7 典型特性
  9. 8 参数测量信息
  10. 9 详细说明
    1. 9.1 概述
    2. 9.2 功能方框图
    3. 9.3 特性说明
      1. 9.3.1 电荷泵
      2. 9.3.2 双栅极控制（DGATE、HGATE）
        1. 9.3.2.1 反向电池保护（A、C、DGATE）
        2. 9.3.2.2 负载断开开关控制（HGATE、OUT）
      3. 9.3.3 过压保护和电池电压检测（VSNS、SW、OV）
      4. 9.3.4 低 Iq 关断和欠压锁定 (EN/UVLO)
    4. 9.4 器件功能模式
    5. 9.5 应用示例
      1. 9.5.1 具有浪涌电流限制、过压保护和开/关控制功能的冗余电源 OR-ing
      2. 9.5.2 具有未抑制负载突降保护功能的理想二极管
  11. 10应用和实现
    1. 10.1 应用信息
    2. 10.2 典型的 12V 反向电池保护应用
      1. 10.2.1 12V 电池保护的设计要求
      2. 10.2.2 汽车反向电池保护
      3. 10.2.3 详细设计过程
        1. 10.2.3.1 设计注意事项
        2. 10.2.3.2 电荷泵电容 VCAP
        3. 10.2.3.3 输入和输出电容
        4. 10.2.3.4 保持电容
        5. 10.2.3.5 过压保护和电池监测器
      4. 10.2.4 MOSFET 选择：阻断 MOSFET Q1
      5. 10.2.5 MOSFET 选择：热插拔 MOSFET Q2
      6. 10.2.6 TVS 选择
      7. 10.2.7 应用曲线
    3. 10.3 200V 未抑制负载突降保护应用
      1. 10.3.1 200V 未抑制负载突降保护的设计要求
      2. 10.3.2 设计流程
        1. 10.3.2.1 升压转换器元件（C2、C3、L1）
        2. 10.3.2.2 输入和输出电容
        3. 10.3.2.3 VS 电容、电阻和齐纳钳位
        4. 10.3.2.4 过压保护和输出钳位
        5. 10.3.2.5 MOSFET Q1 选择
        6. 10.3.2.6 输入 TVS 选择
        7. 10.3.2.7 MOSFET Q2 选择
      3. 10.3.3 应用曲线
    4. 10.4 注意事项
    5. 10.5 电源相关建议
      1. 10.5.1 瞬态保护
      2. 10.5.2 适用于 12V 电池系统的 TVS 选型
      3. 10.5.3 适用于 24V 电池系统的 TVS 选型
    6. 10.6 布局
      1. 10.6.1 布局指南
      2. 10.6.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 接收文档更新通知
    2. 11.2 支持资源
    3. 11.3 商标
    4. 11.4 静电放电警告
    5. 11.5 术语表
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

10.2.5 MOSFET 选择：热插拔 MOSFET Q2

MOSFET Q2 的 VDS 额定值应足以处理最大系统电压以及输入瞬态电压。对于该 12V 设计，瞬态过压事件发生在抑制负载突降 35V 且持续 400ms 以及 ISO 7637-2 脉冲 2A 50V 且持续 50µs 期间。此外，ISO 7637-2 脉冲 3B 是一个非常快速的 100V 100ns 重复脉冲，通常被输入和输出陶瓷电容器吸收，12V 电池上的最大电压可限制为 < 40V，建议的最小输入电容为 0.1µF。输入和输出电容器也可吸收 50V ISO 7637-2 脉冲 2A，并且通过在输入和输出端放置足够大的电容，其振幅可降至 40V 峰值。但是，对于该 12V 设计，最大系统电压为 50V，因此选择 VDS 额定值为 60V 的 MOSFET。

MOSFET Q2 的 VGS 额定值应高于该最大 HGATE-OUT 电压 15V。

在输入热插拔至 12V 电池期间流经 MOSFET 的浪涌电流由输出电容决定。HGATE 上的外部电容器 CDVDT 用于限制输入热插拔或启动期间的浪涌电流。选择通过方程式 2 确定的浪涌电流值时，需要确保 MOSFET Q2 能够在其安全工作区 (SOA) 内正常运行。为了将浪涌电流限制为 250mA，CdVdT 的值为 10.43nF，因此选择最接近的标准值 10.0nF。

浪涌电流持续时间的计算公式如下

方程式 7. GUID-CAD475DF-23C6-4696-AC05-24F7B474E2B3-low.png

浪涌电流为 250mA 时，计算出的浪涌电流持续时间为 2.36ms。

为 Q2 选择了具有 60V VDS 和 ±20V VGS 额定值的 MOSFET BUK7Y4R8-60E。浪涌期间的功率耗散完全在 MOSFET 的安全工作区 (SOA) 范围内。
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