ZHCSNK0 december   2022 LM7480

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 器件比较表
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议的操作条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 开关特性
    7. 7.7 典型特性
  9. 8 参数测量信息
  10. 9 详细说明
    1. 9.1 概述
    2. 9.2 功能方框图
    3. 9.3 特性说明
      1. 9.3.1 电荷泵
      2. 9.3.2 双栅极控制（DGATE、HGATE）
        1. 9.3.2.1 反向电池保护（A、C、DGATE）
        2. 9.3.2.2 负载断开开关控制（HGATE、OUT）
      3. 9.3.3 过压保护和电池电压检测（VSNS、SW、OV）
      4. 9.3.4 低 Iq 关断和欠压锁定 (EN/UVLO)
    4. 9.4 器件功能模式
    5. 9.5 应用示例
      1. 9.5.1 具有浪涌电流限制、过压保护和开/关控制功能的冗余电源 OR-ing
      2. 9.5.2 具有未抑制负载突降保护功能的理想二极管
  11. 10应用和实现
    1. 10.1 应用信息
    2. 10.2 典型的 12V 反向电池保护应用
      1. 10.2.1 12V 电池保护的设计要求
      2. 10.2.2 汽车反向电池保护
      3. 10.2.3 详细设计过程
        1. 10.2.3.1 设计注意事项
        2. 10.2.3.2 电荷泵电容 VCAP
        3. 10.2.3.3 输入和输出电容
        4. 10.2.3.4 保持电容
        5. 10.2.3.5 过压保护和电池监测器
      4. 10.2.4 MOSFET 选择：阻断 MOSFET Q1
      5. 10.2.5 MOSFET 选择：热插拔 MOSFET Q2
      6. 10.2.6 TVS 选择
      7. 10.2.7 应用曲线
    3. 10.3 200V 未抑制负载突降保护应用
      1. 10.3.1 200V 未抑制负载突降保护的设计要求
      2. 10.3.2 设计流程
        1. 10.3.2.1 升压转换器元件（C2、C3、L1）
        2. 10.3.2.2 输入和输出电容
        3. 10.3.2.3 VS 电容、电阻和齐纳钳位
        4. 10.3.2.4 过压保护和输出钳位
        5. 10.3.2.5 MOSFET Q1 选择
        6. 10.3.2.6 输入 TVS 选择
        7. 10.3.2.7 MOSFET Q2 选择
      3. 10.3.3 应用曲线
    4. 10.4 注意事项
    5. 10.5 电源相关建议
      1. 10.5.1 瞬态保护
      2. 10.5.2 适用于 12V 电池系统的 TVS 选型
      3. 10.5.3 适用于 24V 电池系统的 TVS 选型
    6. 10.6 布局
      1. 10.6.1 布局指南
      2. 10.6.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 接收文档更新通知
    2. 11.2 支持资源
    3. 11.3 商标
    4. 11.4 静电放电警告
    5. 11.5 术语表
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

9.3.2.1 反向电池保护（A、C、DGATE）

A、C、DGATE 由理想二极管级组成。将外部 MOSFET 的源极连接到 A，将漏极连接到 C，将栅极连接到 DGATE。LM7480x 具有低至 –65V 的集成反向输入保护功能。

启用 DGATE 驱动器之前，必须满足以下条件：

  • EN/UVLO 引脚电压必须大于指定的输入高电压。
  • CAP 至 VS 电压必须大于欠压锁定电压。
  • A 引脚上的电压必须大于 VA POR 上升阈值。
  • VS 引脚上的电压必须大于 VS POR 上升阈值。
如果未达到上述条件，则 DGATE 引脚从内部连接到 A 引脚，确保外部 MOSFET 被禁用。

在 LM74800 中，在 A 引脚和 C 引脚之间持续监测 MOSFET 两端的压降，并根据需要调节 DGATE 至 A 电压，以将正向压降稳定在 10.5mV（典型值）。该闭环调节方案可在反向电流事件中支持 MOSFET 平稳关断，并确保零直流反向电流。该方案可确保在慢速输入电压斜降测试期间实现稳健的性能。除了线性稳压放大器方案外，LM74800 还集成了快速反向电压比较器。当 A 和 C 之间的压降达到 V(AC_REV) 阈值时，DGATE 在 0.5µs（典型值）内变为低电平。这种快速反向电压比较器方案可确保在输入微短路等快速输入电压斜降测试期间实现稳健性能。当 A 和 C 之间的电压在 2.8µs（典型值）内达到 V(AC_FWD) 阈值时，外部 MOSFET 重新导通。

在 LM74801 中，反向电流阻断仅通过快速反向电压比较器实现。当 A 和 C 之间的压降达到 V(AC_REV) 阈值时，DGATE 在 0.5µs（典型值）内变为低电平。这种快速反向电压比较器方案可确保在输入 LM7480 微短路等快速输入电压斜降测试期间实现稳健性能。当 A 和 C 之间的电压在 2.8µs（典型值）内达到 V(AC_FWD) 阈值时，外部 MOSFET 重新导通。

对于仅限理想二极管的设计，如图 9-2 所示连接 LM7480x。

GUID-20221206-SS0I-CVWH-6LV3-XDWNNKW2VGFQ-low.svg图 9-2 配置 LM7480x-Q1 以仅用于理想二极管
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