ZHCSNK0 december   2022 LM7480

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 器件比较表
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议的操作条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 开关特性
    7. 7.7 典型特性
  9. 8 参数测量信息
  10. 9 详细说明
    1. 9.1 概述
    2. 9.2 功能方框图
    3. 9.3 特性说明
      1. 9.3.1 电荷泵
      2. 9.3.2 双栅极控制（DGATE、HGATE）
        1. 9.3.2.1 反向电池保护（A、C、DGATE）
        2. 9.3.2.2 负载断开开关控制（HGATE、OUT）
      3. 9.3.3 过压保护和电池电压检测（VSNS、SW、OV）
      4. 9.3.4 低 Iq 关断和欠压锁定 (EN/UVLO)
    4. 9.4 器件功能模式
    5. 9.5 应用示例
      1. 9.5.1 具有浪涌电流限制、过压保护和开/关控制功能的冗余电源 OR-ing
      2. 9.5.2 具有未抑制负载突降保护功能的理想二极管
  11. 10应用和实现
    1. 10.1 应用信息
    2. 10.2 典型的 12V 反向电池保护应用
      1. 10.2.1 12V 电池保护的设计要求
      2. 10.2.2 汽车反向电池保护
      3. 10.2.3 详细设计过程
        1. 10.2.3.1 设计注意事项
        2. 10.2.3.2 电荷泵电容 VCAP
        3. 10.2.3.3 输入和输出电容
        4. 10.2.3.4 保持电容
        5. 10.2.3.5 过压保护和电池监测器
      4. 10.2.4 MOSFET 选择：阻断 MOSFET Q1
      5. 10.2.5 MOSFET 选择：热插拔 MOSFET Q2
      6. 10.2.6 TVS 选择
      7. 10.2.7 应用曲线
    3. 10.3 200V 未抑制负载突降保护应用
      1. 10.3.1 200V 未抑制负载突降保护的设计要求
      2. 10.3.2 设计流程
        1. 10.3.2.1 升压转换器元件（C2、C3、L1）
        2. 10.3.2.2 输入和输出电容
        3. 10.3.2.3 VS 电容、电阻和齐纳钳位
        4. 10.3.2.4 过压保护和输出钳位
        5. 10.3.2.5 MOSFET Q1 选择
        6. 10.3.2.6 输入 TVS 选择
        7. 10.3.2.7 MOSFET Q2 选择
      3. 10.3.3 应用曲线
    4. 10.4 注意事项
    5. 10.5 电源相关建议
      1. 10.5.1 瞬态保护
      2. 10.5.2 适用于 12V 电池系统的 TVS 选型
      3. 10.5.3 适用于 24V 电池系统的 TVS 选型
    6. 10.6 布局
      1. 10.6.1 布局指南
      2. 10.6.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 接收文档更新通知
    2. 11.2 支持资源
    3. 11.3 商标
    4. 11.4 静电放电警告
    5. 11.5 术语表
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

9.5.1 具有浪涌电流限制、过压保护和开/关控制功能的冗余电源 OR-ing

GUID-20221206-SS0I-HWPW-HB8P-2P6H7LSHJS1N-low.svg图 9-5 具有过压保护和开/关控制功能的冗余电源 OR-ing

图 9-5 展示了具有浪涌电流限制、过压保护和电源路径开/关控制功能的双路 OR-ing 的实现方案。ISO7637 脉冲 1 瞬态抑制需要跨接在理想二极管上的输入侧 SMBJ36CA TVS，以便将输入电压限制在器件最大额定电压 –65V 的范围内。

R1 和 R2 是用于过压保护 (OVP) 阈值的编程电阻。当 OV 引脚上的电压超过 OV 切断基准阈值时，HGATE 驱动器关断 FET Q3，从而断开电源路径并保护下游负载。一旦 OVP 引脚电压低于 OVP 下降迟滞阈值，HGATE 就会变为高电平。在 LM7480 的 VS 至 CAP 引脚之间使用 0.1μF 至 1μF 的电容器。这是电荷泵电容器，用作 DGATE 和 HGATE 驱动器级的电源。LM7480 的 DGATE 驱动器具有 20mA 峰值拉电流和 2.6A 峰值灌电流能力，可在 ISO16750 或 LV124 短时中断以及交流叠加测试期间实现快速高效的瞬态响应。

在睡眠/待机模式期间将 EN 拉至低电平。当 EN 为低电平时，DGATE 和 HGATE 驱动器都被拉至低电平，从而关断两个功率 FET。VOUT1 与输入电源轨断开连接，从而降低系统 IQ。VOUT2 通过 MOSFET Q2 的体二极管获得功率，这种供电方式可用于常开负载。LM7480 在该模式期间消耗的电流为 2.87μA（典型值）。
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