ZHCSNK0 december   2022 LM7480

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 器件比较表
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议的操作条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 开关特性
    7. 7.7 典型特性
  9. 8 参数测量信息
  10. 9 详细说明
    1. 9.1 概述
    2. 9.2 功能方框图
    3. 9.3 特性说明
      1. 9.3.1 电荷泵
      2. 9.3.2 双栅极控制（DGATE、HGATE）
        1. 9.3.2.1 反向电池保护（A、C、DGATE）
        2. 9.3.2.2 负载断开开关控制（HGATE、OUT）
      3. 9.3.3 过压保护和电池电压检测（VSNS、SW、OV）
      4. 9.3.4 低 Iq 关断和欠压锁定 (EN/UVLO)
    4. 9.4 器件功能模式
    5. 9.5 应用示例
      1. 9.5.1 具有浪涌电流限制、过压保护和开/关控制功能的冗余电源 OR-ing
      2. 9.5.2 具有未抑制负载突降保护功能的理想二极管
  11. 10应用和实现
    1. 10.1 应用信息
    2. 10.2 典型的 12V 反向电池保护应用
      1. 10.2.1 12V 电池保护的设计要求
      2. 10.2.2 汽车反向电池保护
      3. 10.2.3 详细设计过程
        1. 10.2.3.1 设计注意事项
        2. 10.2.3.2 电荷泵电容 VCAP
        3. 10.2.3.3 输入和输出电容
        4. 10.2.3.4 保持电容
        5. 10.2.3.5 过压保护和电池监测器
      4. 10.2.4 MOSFET 选择：阻断 MOSFET Q1
      5. 10.2.5 MOSFET 选择：热插拔 MOSFET Q2
      6. 10.2.6 TVS 选择
      7. 10.2.7 应用曲线
    3. 10.3 200V 未抑制负载突降保护应用
      1. 10.3.1 200V 未抑制负载突降保护的设计要求
      2. 10.3.2 设计流程
        1. 10.3.2.1 升压转换器元件（C2、C3、L1）
        2. 10.3.2.2 输入和输出电容
        3. 10.3.2.3 VS 电容、电阻和齐纳钳位
        4. 10.3.2.4 过压保护和输出钳位
        5. 10.3.2.5 MOSFET Q1 选择
        6. 10.3.2.6 输入 TVS 选择
        7. 10.3.2.7 MOSFET Q2 选择
      3. 10.3.3 应用曲线
    4. 10.4 注意事项
    5. 10.5 电源相关建议
      1. 10.5.1 瞬态保护
      2. 10.5.2 适用于 12V 电池系统的 TVS 选型
      3. 10.5.3 适用于 24V 电池系统的 TVS 选型
    6. 10.6 布局
      1. 10.6.1 布局指南
      2. 10.6.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 接收文档更新通知
    2. 11.2 支持资源
    3. 11.3 商标
    4. 11.4 静电放电警告
    5. 11.5 术语表
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.6 开关特性

TJ = –55°C 至 +125°C；TJ = 25°C、V(A) = V(C) = V(OUT) = V(VS) = 12V、V(AC) = 20mV、C(VCAP) = 0.1µF、V(EN/UVLO) = 2V 时的典型值，在自然通风条件下的工作温度范围内（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
tDGATE_OFF(dly) 反向电压检测期间的 DGATE 关断延迟 V(A) – V(C) = +30mV 至 –100mV 至 V(DGATE–A) < 1V，C(DGATE–A) = 10nF 0.5 0.875 µs
tDGATE_ON(dly) 正向电压检测期间的 DGATE 导通延迟 V(A) – V(C) = –20mV 至 +700mV 至 V(DGATE-A) > 5V，C(DGATE-A) = 10nF 2.8 3.8 µs
tEN(dly)_DGATE EN/UVLO 期间的 DGATE 导通延迟 EN/UVLO ↑ 至 V(DGATE-A) > 5V，C(DGATE-A) = 10nF 98 175 270 µs
tEN_OFF(deg)_DGATE EN/UVLO 期间的 DGATE 关断抗尖峰脉冲 EN/UVLO ↓ 至 DGATE ↓ 8.1 µs
tEN_OFF(deg)_HGATE EN/UVLO 期间的 HGATE 关断抗尖峰脉冲 EN/UVLO ↓ 至 HGATE ↓ 3 4.6 6 µs
tOVP_OFF(deg)_HGATE OV 期间的 HGATE 关断抗尖峰脉冲 OV ↑ 至 HGATE ↓，仅适用于 LM74800 3.98 5.4 µs
OV ↑ 至 HGATE ↓，仅适用于 LM74801 3.2 4.7 µs
tOVP_ON(deg)_HGATE OV 期间的 HGATE 关断抗尖峰脉冲 OV ↓ 至 HGATE ↑ 2.95 µs
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