EN 引脚用于让器件在工作模式和待机模式之间进行切换，如器件功能模式 中所述。

INL 引脚用于打开和关闭低侧 GaN 功率 FET。

INH 引脚用于打开和关闭高侧 GaN 功率 FET。

输入控制引脚具有用于实现抗噪性能的典型 1V 输入电压阈值迟滞。这些引脚还具有典型的 400kΩ 下拉电阻，可防止输入悬空。400kΩ 在高于 4V 的典型输入电压下达到饱和，以将最大输入下拉电流限制为 10µA 典型值。

INL 导通操作受以下条件的影响：1) 待机模式，2) AUX UVLO，3) INH 控制互锁，4) 低侧过流保护，以及 5) 过热保护。

INH 导通操作受以下条件的影响：1) 待机模式，2) AUX UVLO，3) INL 控制互锁，4) 高侧过流保护，以及 5) 过热保护。

待机模式、AUX UVLO 和过热保护 是通用的 INL/INH 阻断条件。这些条件会让两个 GaN 半桥功率 FET 保持关断，而不受 INL 和 INH 的影响。图 7-3 显示了通用阻断条件的运行。请注意，高侧 FET 不会在转换 4 时导通。如果没有通用阻断条件，仅当 INH 变为逻辑高电平时，INH 才会导通高侧 FET。这避免了不完整的高侧 FET 导通周期，该周期会在转换器中产生不必要的尖峰电压。

图 7-3 通用 INL/INH 阻断条件运行