ZHCSL94A June 2024 – October 2024 LMH1229 , LMH1239
PRODUCTION DATA
图例 | |||
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高速信号 | 串行控制接口(SPI 或 SMBus)引脚 | 保留的引脚 | |
控制引脚 | 电源 (2.5V) | LDO 输出 (1.8V) | GND |
引脚 | 类型(1) | 说明 | ||
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名称 | LMH1229 编号 | LMH1239 编号 | ||
高速差分 I/O | ||||
SDI_IN+ | 1 | 1 | I,模拟 | 单端互补输入,在 SDI_IN+ 和 SDI_IN- 上具有片上 75Ω 终端。SDI_IN+ 或 SDI_IN- 可用作 SMPTE 视频应用中自适应电缆均衡器的 75Ω 输入端口。SDI_IN± 包括旨在满足 SMPTE 输入和输出回波损耗要求的集成回波损耗网络。 通过 4.7µF 交流耦合电容器将 SDI_IN+ 或 SDI_IN- 连接到 BNC。使用外部 4.7µF 电容器和 75Ω 电阻器(连接到 GND)对未使用的极性(分别为 SDI_IN- 或 SDI_IN+)进行交流端接。 |
SDI_IN- | 2 | 2 | I,模拟 | |
SDI_IN1+ | 不适用 | 29 | I,模拟 | 冗余单端互补输入,在 SDI_IN1+ 和 SDI_IN1- 上具有片上 75Ω 终端。SDI_IN1+ 或 SDI_IN1- 可用作 SMPTE 视频应用中自适应电缆均衡器的辅助 75Ω 输入端口。SDI_IN1± 包括旨在满足 SMPTE 输入和输出回波损耗要求的集成回波损耗网络。 通过 4.7µF 交流耦合电容器将 SDI_IN1+ 或 SDI_IN1- 连接到 BNC。使用外部 4.7µF 电容器和 75Ω 电阻器(连接到 GND)对未使用的极性(分别为 SDI_IN- 或 SDI_IN+)进行交流端接。 |
SDI_IN1- | 不适用 | 30 | I,模拟 | |
SDI_OUT+ | 8 | 8 | O,模拟 | 单端互补环通电缆驱动器输出,在 SDI_OUT+ 和 SDI_OUT- 上具有片上 75Ω 终端。SDI_OUT± 包括旨在满足 SMPTE 输出回波损耗要求的集成回波损耗网络。 通过 4.7µF 交流耦合电容器将 SDI_OUT+ 或 SDI_OUT- 连接到 BNC。 使用外部 4.7µF 电容器和 75Ω 电阻器(连接到 GND)对未使用的极性(分别为 SDI_IN- 或 SDI_IN+)进行交流端接。 请注意,仅在使用 SDI_OUT+ 极性时,电缆故障检测功能才可用。 |
SDI_OUT- | 7 | 7 | O,模拟 | |
OUT0+ | 23 | 23 | O,模拟 | 带有 100Ω 内部端接的差分互补输出。需要外部 4.7µF 交流耦合电容器。输出驱动器 OUT0± 可在用户控制下禁用。 |
OUT0- | 22 | 22 | O,模拟 | |
OUT1+ | 19 | 19 | O,模拟 | 带有 100Ω 内部端接的差分互补输出。需要外部 4.7µF 交流耦合电容器。输出驱动器 OUT1± 可在用户控制下禁用。 |
OUT1- | 18 | 18 | O,模拟 | |
控制引脚 | ||||
LOOP_BW_SEL | 4 | 4 | I,四电平 | LOOP_BW_SEL 启用四电平 CDR 环路带宽控制。其他 CDR 环路带宽设置可通过寄存器覆盖来实现。 |
IN_MUX_SEL | 不适用 | 10 | I,四电平 | 仅限 LMH1239:IN_MUX_SEL 在 SDI_IN 或 SDI_IN1 之间进行选择。该引脚设置可通过寄存器控制进行覆盖。 有关详细信息,请参阅表 6-3。 |
OUT_MUX_SEL | 5 | 5 | I,四电平 | OUT_MUX_SEL 控制 OUT0± 和 OUT1± 使能行为。该引脚设置可使用寄存器控制进行覆盖。 有关详细信息,请参阅表 6-3。 |
VOD_DE | 9 | 9 | I,四电平 | VOD_DE 选择 OUT0± 和 OUT1± 的驱动器输出振幅和去加重级别。该引脚设置可通过寄存器控制进行覆盖。 有关详细信息,请参阅表 6-8。 |
MODE_SEL | 12 | 12 | I,四电平 | MODE_SEL 启用 SPI 或 SMBus 串行控制接口。 有关详细信息,请参阅表 6-9。 |
SDI_OUT_SEL | 14 | 14 | I,LVCMOS | SDI_OUT_SEL 在 SDI_OUT± 上启用 75Ω 输出驱动器。SDI_OUT_SEL 在内部被拉至高电平。默认情况下,SDI_OUT± 关闭。 有关详细信息,请参阅表 6-4。 |
LF+ | 15 | 15 | I,模拟 | 在 LF+ 和 LF- 之间连接的可选 470nF 外部环路滤波电容器,旨在降低 CDR 环路带宽设置。如果不需要降低 CDR 环路带宽,则可以将这些引脚保持悬空(无连接);如果已连接,则通过寄存器控制使用所需的 CDR 环路带宽设置进行编程。 |
LF- | 16 | 16 | I,模拟 | |
OUT_CTRL | 17 | 17 | I,四电平 | OUT_CTRL 选择从 SDI 输入(SDI_IN± 或 SDI_IN1±)到 OUT0± 和 OUT1± 的信号流。该引脚选择时钟恢复数据、时钟恢复数据和时钟或者已旁路的时钟恢复器数据(提供给输出驱动器的均衡化数据)。寄存器控制可以覆盖引脚设置。 有关详细信息,请参阅表 6-6。 |
SDI_VOD | 24 | 24 | I,四电平 | SDI_VOD 为 SDI_IO± 和 SDI_OUT± 上的电缆驱动器选择四个输出振幅之一。 有关详细信息,请参阅表 6-7。 |
LOCK_N | 27 | 25 | O,LVCMOS、OD | LOCK_N 是所选输入的时钟恢复器锁定指示器。当时钟恢复器达到锁定条件时,LOCK_N 下拉为低电平。LOCK_N 为开漏输出,耐 3.3V 电压,需要将一个 2kΩ 至 5kΩ 外部上拉电阻连接逻辑电源。通过寄存器编程,LOCK_N 引脚可重新配置为指示所选 SDI 输入的 CD_N(载波检测)、CFD_N(电缆故障检测)或 INT_N(中断)。 |
ENABLE | 32 | 32 | I,LVCMOS | ENABLE 可控制器件的运行。ENABLE 为逻辑低电平会将器件配置为断电状态。ENABLE 为逻辑高电平会将器件配置为正常运行状态。ENABLE 具有内部弱上拉电阻。 |
串行控制接口 | ||||
CS_N_ADDR0 | 11 | 11 | SPI 模式: I,LVCMOS SMBus 模式: 配置 (Strap),四电平 |
SPI 模式 (MODE_SEL = F):CS_N CS_N 为片选引脚。当 CS_N 处于逻辑低电平时,该引脚可启用对 LMH12x9 外设的 SPI 访问。CS_N 是 LVCMOS 输入,默认情况下被拉至高电平。 SMBus 模式 (MODE_SEL = L):ADDR0 ADDR[1:0] 是 SMBus 地址配置 (strap),用于从 16 个受支持的 SMBus 地址中选择其中之一。ADDR[1:0] 是四电平配置 (strap),在上电时读入器件。有关详细信息,请参阅表 6-10。 |
POCI_ADDR1 | 28 | 26 | SPI 模式: O,LVCMOS SMBus 模式: 配置 (Strap),四电平 |
SPI 模式 (MODE_SEL = F):POCI POCI“外设输出控制器输入”是 LMH12x9 外设的 SPI 控制串行数据输出。POCI 是以 VIN 为基准的 LVCMOS 输出。 SMBus 模式 (MODE_SEL = L):ADDR1 ADDR[1:0] 是 SMBus 地址配置 (strap),用于从 16 个受支持的 SMBus 地址中选择其中之一。ADDR[1:0] 是四电平配置 (strap),在上电时读入器件。有关详细信息,请参阅表 6-10。 |
PICO_SDA | 13 | 13 | SPI 模式: I,LVCMOS SMBus 模式: IO,LVCMOS、OD |
SPI 模式 (MODE_SEL = F):PICO PICO“外设输入控制器输出”用作 LMH12x9 外设的 SPI 控制串行数据输入。PICO 是以 VIN 为基准的 LVCMOS 输入 SMBus 模式 (MODE_SEL = L):SDA SDA 是连接到 LMH12x9 目标器件或从该器件引出的 SMBus 双向开漏 SDA 数据线路。SDA 为开漏 IO,耐 3.3V 电压。SDA 需要一个外部 2kΩ 至 5kΩ 的上拉电阻来连接 SMBus 终端电压。 |
SCK_SCL | 29 | 27 | SPI 模式: I,LVCMOS SMBus 模式: I,LVCMOS、OD |
SPI 模式 (MODE_SEL = F):SCK SCK 是提供给 LMH12x9 外设的 SPI 串行输入时钟。SCK 是以 VIN 为基准的 LVCMOS。 SMBus 模式 (MODE_SEL = L):SCL SCL 是启用 SMBus 时提供给 LMH12x9 目标器件的 SMBus 输入时钟。该引脚由 SMBus 控制器的 LVCMOS 开漏驱动器进行驱动,耐 3.3V 电压。SCL 需要一个外部 2kΩ 至 5kΩ 的上拉电阻来连接 SMBus 终端电压。 |
保留 | ||||
RSV1 | 10 | 不适用 | 不适用 | 保留的引脚。请勿连接。 |
RSV2 | 25 | 不适用 | ||
RSV3 | 26 | 不适用 | ||
电源 | ||||
VSS | 3、6、20 | 3、6、20 | I,地 | 参考接地。 |
VIN | 30、21 | 28、21 | I,电源 | 将 VIN 连接到同一个外部 2.5V ± 5% 电源。TI 建议将去耦电容器尽可能靠近两个 VIN 引脚放置。 |
VDD_LDO | 31 | 31 | O,电源 | VDD_LDO 为内部 1.8V LDO 稳压器的输出。VDD_LDO 输出需要将一个外部 1µF 和 0.1µF 旁路电容器连接到 VSS。内部 LDO 设计用于仅为内部电路供电。 |
EP | I,地 | EP 是 QFN 封装底部的外露焊盘。外露焊盘必须通过一个 3x3 过孔阵列连接到接地平面。 |