4 修订历史记录

Changes from D Revision (September 2015) to E Revision

• 已将 PW 封装从米6体育平台手机版_好二三四预览改为量产数据Go
• 将 PW 封装添加到输入失调电压漂移测试条件中Go
• 将 PW 封装添加到输入失调电压漂移测试条件中Go
• 将 PW 封装条件添加到 Figure 8 Go
• 将 PW 封装条件添加到 Figure 10 Go
• 将 PW 封装条件添加到 Figure 52 Go
• 更改Figure 71 以修正键入错误Go

Changes from C Revision (March 2015) to D Revision

• 已将器件状态改为量产数据；OPA4192 发布为量产数据Go
• 删除了器件信息表Go
• 已删除引脚配置和功能一节中的脚注 2Go
• 更改 ESD 等级表：增加修正的 OPA4192 CDM 规格Go
• 增加频率响应、串扰 参数到 电气特性：V_S = ±4V 至 ±18V 表 Go
• 增加频率响应、串扰 参数到 电气特性：V_S = ±2.25V 至 ±4V 表 Go
• 更改 典型特性 为电流标准（将图形的曲线和表分成单独的部分以符合 SDS 要求）Go
• 将串扰与频率行添加到Table 1 Go
• 增加 Figure 48 Go

Changes from B Revision (March 2014) to C Revision

• 在 ESD 等级表中增加针对 OPA2192、OPA4192 的 CDM 行Go
• 更改 V_CM ≥ (V+) – 1.5V 测试条件的输入失调电压值Go
• 更改 V_CM = (V+) – 1.5V 测试条件输入失调电压参数典型规格 Go
• 更改 dV_OS/dT 参数的测试条件Go
• 更改 V_CM = (V+) – 3V 测试条件的输入失调电压最大值和测试条件Go
• 更改 V_CM = (V+) – 1.5V 测试条件的输入失调电压值和测试条件Go
• 更改 V_CM = (V+) – 1.5V 测试条件的输入失调电压参数典型规格Go
• 更改 dV_OS/dT 参数的测试条件 Go
• 在布局指南一节的最后一个项目符号中增加文本Go

Changes from A Revision (January 2014) to B Revision

• 已添加“ESD 额定值”和“建议运行条件”表，参数测量信息，应用和实施，电源相关建议以及器件和文档支持部分，并已移动现有部分Go
• 已将所有 OPA192 和 OPA2192 封装改为量产数据。Go
• 已根据最新标准更改了封装名称；将所有 MSOP 更改为 VSSOP，所有 SO 更改为 SOIC，所有 SOT23 更改为 SOTGo
• 删除了 DCK 封装引脚配置Go
• 增加有关 OPA192 DBV 和 DGK 封装的热性能信息Go
• 增加 OPA2192 和 OPA4192 热性能信息表 Go
• 在输入失调电压参数中增加包含附加测试条件的行Go
• 更改输入失调电压漂移参数 Go
• 更改 CMRR 测试条件 Go
• 在输入失调电压参数中增加包含附件测试条件的行Go
• 更改输入失调电压漂移参数Go
• 更改 PSSR 参数 Go
• 更改 CMRR 测试条件 Go
• 增加输出一节Go
• 将典型特性曲线添加到Table 1 Go
• 在典型特性条件行中增加 T_A = 25°C Go
• 将九个新的直方图从Figure 2 添加到Figure 10Go
• 更改Figure 11 以显示更多单元Go
• 已更改Figure 19Go
• 在应用信息一节增加文本Go
• 更改布局准则一节中的文本Go

Changes from * Revision (December 2013) to A Revision

• 更改 16 位精度多路复用数据采集系统 一节的第一段Go
• 更改Figure 66 和标题Go
• 更改 TIDU181 参考设计标题Go