RES11A 的电压系数几乎完全与自发热有关，此时器件中的耗散功率会导致芯片温度升高。如前所述，这种温升的共性会导致每个电阻中发生相似的转换，使得分压器比率得以很好地保持。

通过在电阻器或分压器 R 两端施加电压 V，会造成相应的功率耗散 P = V²/R，表现为器件芯片中的热量。这些热量会导致结温局部增加，进而造成前面在温度系数背景下讨论过的相同参数转换。TCR 指定为环境温度的函数；因此，应使用有效的结至环境热阻来确定有效温升，并计算标称或预期转换。

图 7-1 R_IN 电阻与电压间的关系

图 7-2 R_G 电阻与电压间的关系

R 预期值与 R 实际值之间的差异描述了 R 的实际值与预期值不匹配错误，这源自对电压系数产生的非温度相关影响。与对数放大器的对数一致性误差或 ADC 的积分非线性误差类似，该误差描述了实际器件行为与可预测行为之间的偏差。虽然转换的绝对幅度有所不同，但斜率或趋势可以预测。

图 7-3 电阻实际值和预期值失配与电压间的关系

低偏置下 R 的测量值（通过提供非常小的电流来测量）与 R 实际值用来计算电阻的有效电压系数。

对每个 R_x、t_D1、t_D2 和 t_M 重复此操作，计算与每个参数相关的电压系数。例如，RES11A40 的典型绝对电压系数约为 0.02Ω/V（R_IN 或 R_G 的电压系数）。当从比例角度考虑时，t_D1 或 t_D2 的典型电压系数为 2ppm/V，t_M 的电压系数为 0.5ppm/V。