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ZHCS044C march 2011 – april 2023 TLV3011-Q1 , TLV3011B-Q1 , TLV3012-Q1 , TLV3012B-Q1

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

DCK|6
- MPDS114E
DBV|6
- MPDS026Q

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

6.9 电气特性 - TLV301x-Q1 DBV 封装、TLV3011B-Q1 和 TLV3012B-Q1

T_A = 25°C，V_S（总电源电压）= (V+) – (V–) = 1.8V 和 5.5V，V_CM = V_S/2（除非另有说明）

参数		测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
失调电压
V_OS	输入失调电压	V_CM = (V–)	-6	±0.3	6	mV
V_OS	输入失调电压	V_CM = (V–) T_A = –40°C 至 +125°C	-9		9	mV）
dV_IO/dT	输入失调电压漂移	V_CM = (V–) T_A = –40°C 至 +125°C		±12		µV/°C
PSRR	电源抑制比	V_CM = (V–) V_S = 1.8V 至 5.5V T_A =–40°C 至 +125°C		100	1000	µV/V
PSRR	电源抑制比（B 版本）	V_CM = (V–) V_S = 1.65V 至 5.5V T_A = –40°C 至 +125°C		100	1000	µV/V
V_HYS	输入迟滞电压	T_A=-40°C 至 +125°C	2	6	8	mV
输入偏置电流
I_B	输入偏置电流	V_CM = V_S/2	-10(1)	±4.5	10(1)	pA
I_OS	输入失调电流	V_CM = V_S/2	-10(1)	±1	10(1)	pA
输入共模范围
V_CM-Range	共模电压范围	V_S = 1.8V 至 5.5V	(V-)-0.2		(V+)+0.2	V
CMRR	共模抑制比	V_CM = (V–) + 1.5V 至 (V+) + 0.2V V_S = 5.5V	60	74		dB
CMRR	共模抑制比	V_CM = (V–) - 0.2V 至 (V+) + 0.2V V_S = 5.5V	54	62		dB
R_CM	输入共模电阻			10¹³		Ω
C_IC	输入共模电容			2		pF
输入阻抗
R_DM	输入差分模式电阻			10¹³		Ω
C_ID	输入差分模式电容			4		pF
输出
V_OL	(V–) 的电压摆幅	V_S = 5V I_SINK = 5mA T_A = -40°C 至 +125°C		160	200	mV
V_OH	(V+) 的电压摆幅（仅适用于推挽）	V_S = 5V I_SOURCE = 5mA T_A = –40°C 至 +125°C		90	200	mV
电压基准
V_OUT	基准电压		1.223	1.242	1.260	V
	精度			±0.25%	±1.5%
dV_OUT/d_T	温漂	T_A = –40°C 至 +125°C		40	100	ppm/℃
dV_OUT/dI_LOAD	负载调节，拉电流	0mA < I_SOURCE ≤ 0.5mA		0.36	1(1)	mV/mA
	负载调节，灌电流	0mA < I_SINK ≤ 0.5mA		6.6		mV/mA
ILOAD	输出电流			0.5		mA
dV_OUT/dV_S	线路调节	1.8V ≤ V_S ≤ 5.5V		10	100(1)	µV/V
dV_OUT/dV_S	线路调节（B 版本）	1.65V ≤ V_S ≤ 5.5V		10	100(1)	µV/V
V_noise	噪声	f = 0.1Hz 至 10Hz		0.2		mV_PP
电源
I_Q	静态电流（每个比较器）	输出为逻辑高电平		2.8	5	µA
I_Q	静态电流（每个比较器）	输出为逻辑高电平 T_A = –40°C 至 +125°C			7	µA
I_Q	每个比较器的静态电流（B 版本）	输出为逻辑高电平		2.4	3.1	µA
I_Q	每个比较器的静态电流（B 版本）	输出为逻辑高电平 T_A = –40°C 至 +125°C			3.6	µA

(1) 由特征确保