TLVM236x5 通过使用高侧 (HS) 和低侧 (LS) MOSFET 的逐周期电流限制电路，可在过流情况下受到保护。每个开关周期都会将电流与电流限制阈值进行比较。在过流情况下，输出电压随着开关频率的降低而降低。

高侧 MOSFET 过流保护是通过典型峰值电流模式控制方案来实现的。当高侧开关在较短的消隐时间后导通时，将检测到高侧开关电流。在每个开关周期，将 HS 开关电流与固定电流设定点的最小值，或与内部误差放大器环路的输出减去斜率补偿之后的值进行比较。由于内部误差放大器环路的输出具有最大值并且斜率补偿随占空比增加，因此当占空比高于 35% 时，HS 电流限值会随着占空比的增加而减小。

当低侧开关接通时，也会检测和监控流经它的电流。与高侧器件一样，低侧器件具有由内部误差放大器环路命令的关断功能。对于低侧器件，即使振荡器正常启动一个新的开关周期，也会在电流超过此值时阻止关断。与高侧器件一样，关断电流的高低也受到限制。这称为低侧电流限值。如果超出低侧电流限值，低侧 MOSFET 将保持导通状态，高侧开关不会导通。一旦低侧电流降至此限值以下，低侧开关就会关断，并且只要自高侧器件上次导通后至少经过一个时钟周期，高侧开关就会再次导通。

在限流期间，如果 FB 输入上的电压因短路而降至大约 0.4V (V_HICCUP) 以下，该器件将进入断续模式。在该模式下，器件在 t_W（即大约 50ms）内停止开关，然后通过软启动进行正常重启。如果短路情况仍然存在，器件将在电流限制下运行大约 5ms（典型值），然后再次关断。只要短路情况仍然存在，该循环就会重复。