10 修订历史记录
All Revision History Changes Intro HTMLFebruary 1, 2021 to February 20, 2024 (from RevisionO (February 2021)to RevisionP (February 2024))
- 将文档标题从 TMS320F2837xD 双核微控制器 更改为 TMS320F2837xD 双核实时微控制器。Go
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通篇:将勘误表标题从 TMS320F2837xD 双核 MCU 器件勘误表 更改为 TMS320F2837xD 双核实时 MCU 器件勘误表。将技术参考手册的标题从 TMS320F2837xD 双核微控制器技术参考手册 更改为 TMS320F2837xD 双核实时微控制器技术参考手册。Go
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说明 部分:更新部分。Go
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封装信息 表:将器件信息 表的标题更改为封装信息。更新了表和脚注Go
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器件比较 表:更新了“串行通信接口 (SCI) - 0 类(UART 兼容)”Go
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引脚配置和功能 部分:将章节标题从端子配置和功能 更改为引脚配置和功能。Go
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信号说明 表:更新了TRST和 VDD 的说明列。更新了 VSS 的 PTP 引脚编号列和 PZP 引脚编号列。Go
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输入 X-BAR 图:更新了图。Go
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ESD 等级 - 商用 表:更新了器件型号。Go
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ESD 等级 - 汽车 表:更新了器件型号Go
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200MHz SYSCLK 下的器件电流消耗 表:添加了复位模式的值。Go
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电气特性 表:将 VHYSTERESIS 的参数值 (150mV) 从“典型值”列移至“最小值”列。Go
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上电复位 图:更新了图。Go
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时钟系统 图:更新了图。Go
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XTAL 振荡器特性 部分:新增了该部分Go
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XTAL 振荡器 部分:将章节标题从晶体振荡器 更改为 XTAL 振荡器。更新部分。Go
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晶体振荡器电气特性 表:更新了表Go
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10MHz 时的负电阻变化 图:新增了图。Go
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20 MHz 时的负电阻变化 图:新增了图。Go
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闪存参数 表:更新了表Go
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RAM 规格 部分:新增了该部分Go
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ROM 规格 部分:新增了该部分Go
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EMIF 异步存储器开关特性 表:更新了参数 3、10、15 和 24。添加了“最大等待超时条件”脚注。Go
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模拟子系统方框图(100 引脚 PZP) 图:更新了图。Go
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ADC 特性(16 位差分模式) 表:更新了 SNR、THD、SFDR、SINAD 和 ENOB 的典型值。Go
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ADC 特性(12 位单端模式) 表:更新了 SNR、THD、SFDR、SINAD 和 ENOB 的典型值。Go
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单端输入模式参数 部分:更新了“这些输入模式应与实际信号源阻抗一起使用...”段落。Go
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12 位模式的 ADC 时序 图:更新了图。Go
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比较器电气特性 表:添加了迟滞最小值和最大值添加了电源抑制比 (PSRR)。Go
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CMPSS DAC 静态电气特性 部分:新增了“图未按比例绘制”注释。Go
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CMPSS DAC 动态误差 部分:新增了该部分Go
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同步链架构 图:更新了图。Go
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使用异步 GPIO (ASYNC) 选项时的 SDFM 时序要求 部分:更新了有关 SDFM 曼彻斯特模式(模式 2)的警告。Go
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I2C 电气数据和时序 部分:添加了“为了满足所有的 I2C 协议时序规范,I2C 模块时钟必须配置为 7MHz 至 12MHz 范围内的值...”注释。Go
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I2C 时序要求 表:新增了脚注Go
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I2C 时序图 部分:添加了章节标题。Go
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I2C 时序图 部分:删除了重复内容“为了满足所有的 I2C 协议时序规范,I2C 模块时钟 (Fmod) 必须配置为 7MHz 至 12MHz”注释。此注释现在位于 I2C 电气数据和时序 部分。Go
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概述 部分:更新部分。Go
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EMIF 芯片选择存储器映射 表:更新了“EMIF2_CS0n - 数据”的大小。Go
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外设寄存器存储器映射 部分:添加了“器件外设都不具备程序总线访问权限”注释。Go
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外设寄存器存储器映射 表:添加了 CLB 寄存器。Go
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应用、实施和布局 部分:更新部分。Go
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工具与软件 部分:添加了 C2000 第三方搜索工具更新了“培训”部分。Go