ZHCSKI6U January   2006  – September 2024 TPS737

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. Pin Configuration and Functions
  6. Specifications
    1. 5.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2 ESD Ratings
    3. 5.3 Recommended Operating Conditions
    4. 5.4 Thermal Information
    5. 5.5 Thermal Information
    6. 5.6 Electrical Characteristics
    7. 5.7 Typical Characteristics
  7. Detailed Description
    1. 6.1 Overview
    2. 6.2 Functional Block Diagrams
    3. 6.3 Feature Description
      1. 6.3.1 Output Noise
      2. 6.3.2 Internal Current Limit
      3. 6.3.3 Enable Pin and Shutdown
      4. 6.3.4 Reverse Current
    4. 6.4 Device Functional Modes
  8. Application and Implementation
    1. 7.1 Application Information
    2. 7.2 Typical Application
      1. 7.2.1 Design Requirements
      2. 7.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 7.2.2.1 Input and Output Capacitor Requirements
        2. 7.2.2.2 Dropout Voltage
        3. 7.2.2.3 Transient Response
      3. 7.2.3 Application Curves
    3. 7.3 Best Design Practices
    4. 7.4 Power Supply Recommendations
    5. 7.5 Layout
      1. 7.5.1 Layout Guidelines
        1. 7.5.1.1 Power Dissipation
        2. 7.5.1.2 Thermal Protection
        3. 7.5.1.3 Estimating Junction Temperature
      2. 7.5.2 Layout Example
  9. Device and Documentation Support
    1. 8.1 Device Support
      1. 8.1.1 Development Support
        1. 8.1.1.1 Evaluation Modules
        2. 8.1.1.2 Spice Models
      2. 8.1.2 Device Nomenclature
    2. 8.2 Documentation Support
      1. 8.2.1 Related Documentation
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 Trademarks
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. Revision History
  11. 10Mechanical, Packaging, and Orderable Information

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DCQ|6
  • DRV|6
  • DRB|8
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

说明

TPS737 线性低压降 (LDO) 稳压器在电压跟随器配置中使用 NMOS 导通晶体管。该拓扑对输出电容值和等效串联电阻 (ESR) 的敏感度相对较低,从而实现多种负载配置。即使使用 1µF 的小型陶瓷输出电容器,也能实现出色的负载瞬态响应。NMOS 拓扑也可实现超低压降。

TPS737 利用先进的 BiCMOS 工艺实现高精度,同时提供超低压降电压和低接地引脚电流。采用全新制造流程的器件拥有最新设计,新器件采用 TI 最新工艺技术。未启用时,电流消耗小于 20nA,适用于便携式应用。该器件受到热关断和折返电流限制的保护。

对于需要更高输出电压精度的应用,请考虑 TI 的 TPS7A37 1% 总精度、1A 低压降稳压器。

封装信息
器件型号封装(1)封装尺寸(2)
TPS737DRB(VSON,8)3mm × 3mm
DCQ(SOT-223,6)6.5mm × 7.06mm
DRV(WSON,6)2mm × 2mm
如需更多信息,请参阅节 10
封装尺寸(长 × 宽)为标称值,并包括引脚(如适用)。

 

 

TPS737 典型应用电路典型应用电路