ZHCSKI6U January 2006 – September 2024 TPS737
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
TPS737 线性低压降 (LDO) 稳压器在电压跟随器配置中使用 NMOS 导通晶体管。该拓扑对输出电容值和等效串联电阻 (ESR) 的敏感度相对较低,从而实现多种负载配置。即使使用 1µF 的小型陶瓷输出电容器,也能实现出色的负载瞬态响应。NMOS 拓扑也可实现超低压降。
TPS737 利用先进的 BiCMOS 工艺实现高精度,同时提供超低压降电压和低接地引脚电流。采用全新制造流程的器件拥有最新设计,新器件采用 TI 最新工艺技术。未启用时,电流消耗小于 20nA,适用于便携式应用。该器件受到热关断和折返电流限制的保护。
对于需要更高输出电压精度的应用,请考虑 TI 的 TPS7A37 1% 总精度、1A 低压降稳压器。