TPS737
- 与 1µF 或更大的陶瓷输出电容器一起工作时保持稳定
- 输入电压范围：2.2V 至 5.5V
- 超低压降电压
- 传统器件：1A 时典型值为 130mV
- 新器件，M3 后缀：1A 时典型值为 122mV
- 即使使用仅为 1µF 的输出电容器，也能实现出色的负载瞬态响应
- NMOS 拓扑可提供低反向漏电流
- 初始精度：1%
- 在线路、负载和温度范围内总精度
- 传统器件：3%
- 新器件，M3 后缀：1.5%
- 关断模式下，IQ 典型值小于 20nA
- 通过热关断和电流限制实现故障保护
- 提供了多个输出电压版本：
- 可调输出：1.20V 至 5.5V
- 使用工厂封装级编程，可提供定制输出
TPS737 线性低压降 (LDO) 稳压器在电压跟随器配置中使用 NMOS 导通晶体管。该拓扑对输出电容值和等效串联电阻 (ESR) 的敏感度相对较低，从而实现多种负载配置。负载瞬态响应出色，即使与 1µF 小型陶瓷输出电容搭配工作时也是如此。NMOS 拓扑也可实现超低压降。
TPS737 利用先进的 BiCMOS 工艺实现高精度，同时提供超低的压降电压和低接地引脚电流。带有 M3 后缀的器件型号采用依托最新 TI 工艺技术的更新设计。未启用时的电流消耗小于 20nA，适用于便携式应用。该器件受到热关断和折返电流限制的保护。
对于需要更高输出电压精度的应用，请考虑 TI 的 TPS7A37 1% 总精度、1A 低压降稳压器。
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